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光電子半導体デバイス及び製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240546477
申请日
:
2023-02-02
公开(公告)号
:
JP2025504188A
公开(公告)日
:
2025-02-06
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10H20/84
IPC分类号
:
H10H20/824
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
光電子半導体デバイス、光電子半導体デバイスのアレイ、及び光電子半導体デバイスを製造する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024526040A
,2024-07-17
[2]
半導体材料、製造方法及び半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP7641447B2
,2025-03-06
[3]
半導体材料、製造方法及び半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2025502954A
,2025-01-30
[4]
半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2017511596A
,2017-04-20
[5]
半導体デバイスの製造[ja]
[P].
日本专利
:JP2024527739A
,2024-07-26
[6]
半導体デバイス及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2021526308A
,2021-09-30
[7]
半導体素子の製造方法および電子デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007142238A1
,2009-10-29
[8]
構造体、光電子デバイス、及び構造体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024546447A
,2024-12-24
[9]
光電子デバイス及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2016508672A
,2016-03-22
[10]
半導体デバイスを製造する方法およびその半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2022550015A
,2022-11-30
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