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反熔丝器件及其存储器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310700010.5
申请日：
2023-06-12
公开(公告)号：
CN119170080A
公开(公告)日：
2024-12-20
发明(设计)人：
胡嘉伦
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
G11C17/18
IPC分类号：
G11C17/16
代理机构：
代理人：
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-12-20 公开 公开
2025-09-19 授权 授权
2025-01-07 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G11C 17/18申请日:20230612
共 50 条
[1]
反熔丝器件及其存储器 [P]. 
胡嘉伦 .
中国专利 :CN119170080B ,2025-09-19
[2]
反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件 [P]. 
窦心愿 .
中国专利 :CN119008584A ,2024-11-22
[3]
反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件 [P]. 
窦心愿 .
中国专利 :CN119008584B ,2025-10-03
[4]
反熔丝器件和包括该反熔丝器件的存储器件 [P]. 
李东贤 .
中国专利 :CN108231777A ,2018-06-29
[5]
反熔丝单元、反熔丝阵列结构及反熔丝存储器件 [P]. 
廖淼 .
中国专利 :CN118969764A ,2024-11-15
[6]
存储器、反熔丝器件及其制造方法 [P]. 
冯鹏 ;
李雄 .
中国专利 :CN112447666A ,2021-03-05
[7]
反熔丝存储器 [P]. 
葛西秀男 ;
谷口泰弘 ;
川嶋泰彦 ;
樱井良多郎 ;
品川裕 ;
户谷达郎 ;
山口贵德 ;
大和田福夫 ;
吉田信司 ;
畑田辉男 ;
野田敏史 ;
加藤贵文 ;
村谷哲也 ;
奥山幸祐 .
日本专利 :CN111987101B ,2024-08-02
[8]
反熔丝存储器 [P]. 
葛西秀男 ;
谷口泰弘 ;
川嶋泰彦 ;
樱井良多郎 ;
品川裕 ;
户谷达郎 ;
山口贵德 ;
大和田福夫 ;
吉田信司 ;
畑田辉男 ;
野田敏史 ;
加藤贵文 ;
村谷哲也 ;
奥山幸祐 .
中国专利 :CN111987101A ,2020-11-24
[9]
反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法 [P]. 
凌周轩 ;
余快 ;
梁肖 ;
孙琪 .
中国专利 :CN115101478A ,2022-09-23
[10]
反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器 [P]. 
任雪 ;
俞惠 .
中国专利 :CN119601064A ,2025-03-11
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