一种氟化物晶体的退火坩埚及退火方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310830251.1

申请日：

2023-07-07

公开(公告)号：

CN119265710A

公开(公告)日：

2025-01-07

发明(设计)人：

苏良碧张博唐飞钱小波寇华敏王静雅姜大朋张中晗

申请人：

中国科学院上海硅酸盐研究所

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C30B33/02

IPC分类号：

C30B29/12

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

冯珺;温猛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 33/02申请日:20230707
2025-01-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种定向生长氟化物晶体的坩埚 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN216274454U ,2022-04-12

[2]

一种定向生长氟化物晶体的坩埚 [P].

徐悟生 ;

朱逢锐 ;

彭明林 ;

周方 ;

张斌 ;

李琛 ;

杨春晖 .

中国专利 :CN214458445U ,2021-10-22

[3]

预处理金属氟化物及氟化物晶体的制造方法 [P].

石津澄人 ;

关屋章 ;

福田健太郎 ;

须山敏尚 .

中国专利 :CN102026914A ,2011-04-20

[4]

氟化物晶体的制造方法 [P].

里永知彦 ;

菊山裕久 ;

福田承生 .

中国专利 :CN1823183A ,2006-08-23

[5]

同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚 [P].

郭宗海 ;

张可生 .

中国专利 :CN208667892U ,2019-03-29

[6]

一种坩埚旋转下降法生长氟化物晶体的装置及方法 [P].

王庆国 ;

钱小波 ;

唐飞 ;

姜大朋 ;

苏良碧 ;

贾健 ;

许艳涛 .

中国专利 :CN113174628A ,2021-07-27

[7]

氟化物晶体的制造装置 [P].

福田承生 ;

菊山裕久 ;

里永知彦 .

中国专利 :CN100465357C ,2006-05-24

[8]

一种坩埚旋转下降法生长氟化物晶体的装置 [P].

王庆国 ;

姜大朋 ;

苏良碧 ;

贾健 .

中国专利 :CN215713512U ,2022-02-01

[9]

一种稀土氟化物发光材料的高效抗氧化退火方法 [P].

王如志 ;

盖红 ;

严辉 ;

张影 ;

朱满康 ;

侯育冬 ;

王波 ;

张铭 ;

宋雪梅 ;

刘晶冰 ;

汪浩 .

中国专利 :CN104531152A ,2015-04-22

[10]

一种中心异型氟化物光学晶体的制备装置及方法 [P].

姜大朋 ;

苏良碧 ;

贾健 .

中国专利 :CN113774483A ,2021-12-10

← 1 2 3 4 5 →