一种高介电聚合物制备方法、高介电薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510045093.8

申请日：

2025-01-13

公开(公告)号：

CN119463388A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

廖良梁子材廖家兴徐宏伟张华峰刘潇徐涵琲

申请人：

都江堰市天兴硅业有限责任公司

申请人地址：

611800 四川省成都市都江堰市经济开发区九鼎大道18号

IPC主分类号：

C08L27/16

IPC分类号：

C08L77/02 C08J9/12 C08J5/18

代理机构：

成都明涛智创专利代理有限公司 51289

代理人：

何文浩

法律状态：

授权

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-08	授权	授权
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C08L 27/16申请日:20250113
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高介电聚合物制备方法、高介电薄膜及其制备方法 [P].

廖良 ;

梁子材 ;

廖家兴 ;

徐宏伟 ;

张华峰 ;

刘潇 ;

徐涵琲 .

中国专利 :CN119463388B ,2025-04-08

[2]

一种制备高介电薄膜的方法 [P].

刘江萍 ;

陈骁 ;

何流 ;

王锦梅 ;

徐晓薇 .

中国专利 :CN103242660B ,2013-08-14

[3]

聚合物基陶瓷复合介电材料及其制备方法 [P].

刘晓林 ;

陈建锋 ;

窦晓亮 ;

栗艳 .

中国专利 :CN102173155A ,2011-09-07

[4]

聚合物及其制备方法、凝胶、介电材料 [P].

张建 ;

乐泽伟 ;

徐良 ;

于冉 ;

张东宝 ;

陈荣强 ;

邵彩萍 .

中国专利 :CN115558110A ,2023-01-03

[5]

一种耐高温聚合物介电薄膜及其制备方法 [P].

朱家铭 ;

郭少云 ;

吴宏 ;

余文建 .

中国专利 :CN112266581A ,2021-01-26

[6]

一种全有机高介电、高击穿强度PVDF基介电薄膜制备方法 [P].

卢红伟 ;

张慧龙 ;

张木华 ;

范巧兰 ;

李毅峰 ;

苏伟涛 ;

郭筱洁 .

中国专利 :CN111995779A ,2020-11-27

[7]

铌酸钾钠/聚偏二氟乙烯高介电薄膜的制备方法 [P].

杨文龙 ;

林家齐 ;

陈高汝 ;

迟庆国 ;

刘刚 .

中国专利 :CN104356414B ,2015-02-18

[8]

耐高温和高介电聚合物基复合介电材料及制备方法和应用 [P].

冯萌娜 ;

陈明 ;

贺盟 ;

马得煜 ;

罗驹华 .

中国专利 :CN111892805B ,2020-11-06

[9]

聚合物基介电材料及其制备方法 [P].

李峰 ;

刘侠侠 ;

陶玉红 ;

李露 ;

卢星华 ;

袁启斌 .

中国专利 :CN110669182B ,2020-01-10

[10]

一种聚合物基介电材料的制备方法 [P].

李海涛 ;

钱叶球 ;

邢武装 .

中国专利 :CN108748942A ,2018-11-06

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