一种宽禁带半导体功率MOS芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411483360.1

申请日：

2024-10-23

公开(公告)号：

CN119342863A

公开(公告)日：

2025-01-21

发明(设计)人：

周洋袁雄

申请人：

合肥阿基米德电子科技有限公司

申请人地址：

231283 安徽省合肥市高新区长宁大道789号5号楼

IPC主分类号：

H10D30/63

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01 H01L21/66 H01L23/544

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

范冬冬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/63申请日:20241023
2025-01-21	公开	公开

共 50 条

[1]

宽禁带半导体器件及其制备方法 [P].

星野政宏 ;

张乐年 .

中国专利 :CN104241372B ,2014-12-24

[2]

宽禁带半导体器件 [P].

星野政宏 ;

张乐年 .

中国专利 :CN204067370U ,2014-12-31

[3]

一种宽禁带半导体复合芯片结构及其制备方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN119922973B ,2025-11-18

[4]

一种宽禁带半导体复合芯片结构及其制备方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN119922973A ,2025-05-02

[5]

一种宽禁带功率半导体器件及制备方法 [P].

申占伟 ;

刘兴昉 ;

闫果果 ;

王雷 ;

赵万顺 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN112382655B ,2021-02-19

[6]

宽禁带半导体器件 [P].

刘伟 ;

邓云 ;

唐斌 ;

薛勇 .

中国专利 :CN119170634A ,2024-12-20

[7]

一种新型宽禁带功率半导体器件 [P].

李鹏 ;

颜剑 ;

谭在超 ;

丁国华 ;

罗寅 ;

张玉明 .

中国专利 :CN209029379U ,2019-06-25

[8]

一种宽禁带半导体集成功率模块 [P].

杨树 ;

唐曦 ;

韩在天 ;

尹玉莲 .

中国专利 :CN118016666A ,2024-05-10

[9]

一种宽禁带半导体器件结构及制备方法 [P].

郝梦龙 ;

邹子文 ;

孙一苇 .

中国专利 :CN118099112A ,2024-05-28

[10]

一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制备方法 [P].

成志杰 ;

袁俊 ;

郭飞 ;

王宽 ;

陈伟 ;

吴阳阳 ;

徐少东 ;

彭若诗 ;

朱厉阳 ;

李明哲 .

中国专利 :CN117613090A ,2024-02-27

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