一种宽禁带半导体复合芯片结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510091367.7

申请日：

2025-01-21

公开(公告)号：

CN119922973A

公开(公告)日：

2025-05-02

发明(设计)人：

袁俊

申请人：

湖北九峰山实验室

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号

IPC主分类号：

H10D84/83

IPC分类号：

H10D84/03

代理机构：

武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242

代理人：

陈孔禄

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	授权	授权
2025-05-02	公开	公开
2025-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/83申请日:20250121

共 50 条

[1]

一种宽禁带半导体复合芯片结构及其制备方法 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN119922973B ,2025-11-18

[2]

宽禁带半导体器件及其制备方法 [P].

星野政宏 ;

张乐年 .

中国专利 :CN104241372B ,2014-12-24

[3]

一种宽禁带半导体器件结构及制备方法 [P].

郝梦龙 ;

邹子文 ;

孙一苇 .

中国专利 :CN118099112A ,2024-05-28

[4]

宽禁带半导体器件 [P].

星野政宏 ;

张乐年 .

中国专利 :CN204067370U ,2014-12-31

[5]

一种宽禁带半导体功率MOS芯片及其制备方法 [P].

周洋 ;

袁雄 .

中国专利 :CN119342863A ,2025-01-21

[6]

一种全新集成宽禁带半导体材料电子芯片 [P].

王晓波 .

中国专利 :CN118198121A ,2024-06-14

[7]

一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制备方法 [P].

成志杰 ;

袁俊 ;

郭飞 ;

王宽 ;

陈伟 ;

吴阳阳 ;

徐少东 ;

彭若诗 ;

朱厉阳 ;

李明哲 .

中国专利 :CN117613090A ,2024-02-27

[8]

宽禁带半导体器件 [P].

刘伟 ;

邓云 ;

唐斌 ;

薛勇 .

中国专利 :CN119170634A ,2024-12-20

[9]

一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制备方法 [P].

成志杰 ;

袁俊 ;

郭飞 ;

王宽 ;

陈伟 ;

吴阳阳 ;

徐少东 ;

彭若诗 ;

朱厉阳 ;

李明哲 .

中国专利 :CN117613090B ,2025-06-27

[10]

垂直型宽禁带半导体器件结构及制作方法 [P].

郝跃 ;

王中林 ;

陈军峰 ;

张进城 ;

张春福 .

中国专利 :CN100403550C ,2006-02-08

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