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一种压阻式压力传感器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411417001.6
申请日：
2024-10-11
公开(公告)号：
CN118913491B
公开(公告)日：
2025-01-24
发明(设计)人：
张照云 刘显学 谢晋 杨杰 赵宝林 熊壮 李严军 沈朝阳 刘振华 屈明山 王颉 王旭光
申请人：
中国工程物理研究院电子工程研究所
申请人地址：
621000 四川省绵阳市绵山路64号
IPC主分类号：
G01L1/22
IPC分类号：
G01L9/04 G01L19/00
代理机构：
成都卓跞知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51380
代理人：
吴雪琴;欧鸿
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-11-08 公开 公开
2024-11-26 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G01L 1/22申请日:20241011
2025-01-24 授权 授权
共 50 条
[1]
一种压阻式压力传感器及其制备方法 [P]. 
张照云 ;
刘显学 ;
谢晋 ;
杨杰 ;
赵宝林 ;
熊壮 ;
李严军 ;
沈朝阳 ;
刘振华 ;
屈明山 ;
王颉 ;
王旭光 .
中国专利 :CN118913491A ,2024-11-08
[2]
一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P]. 
高程武 ;
张大成 ;
杨芳 ;
程垒健 ;
余润泽 ;
李凤阳 ;
刘鹏 .
中国专利 :CN111591952B ,2024-03-26
[3]
一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P]. 
高程武 ;
张大成 ;
杨芳 ;
程垒健 ;
余润泽 ;
李凤阳 ;
刘鹏 .
中国专利 :CN111591952A ,2020-08-28
[4]
压阻式压力传感器及其制备方法 [P]. 
黄贤 ;
谢军 ;
吴昭 .
中国专利 :CN106066219B ,2016-11-02
[5]
一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法 [P]. 
高程武 ;
张大成 ;
杨芳 ;
程垒健 ;
余润泽 ;
李凤阳 ;
王旭峰 ;
华璇卿 ;
刘鹏 .
中国专利 :CN113845083B ,2025-04-29
[6]
压阻式压力传感器及其制备方法 [P]. 
吕萍 ;
李刚 .
中国专利 :CN117263139B ,2024-02-02
[7]
一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法 [P]. 
高程武 ;
张大成 ;
杨芳 ;
程垒健 ;
余润泽 ;
李凤阳 ;
王旭峰 ;
华璇卿 ;
刘鹏 .
中国专利 :CN113845083A ,2021-12-28
[8]
一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P]. 
邵锦华 ;
薛惠琼 ;
王玮冰 .
中国专利 :CN118961010A ,2024-11-15
[9]
一种压阻式压力传感器及其制备方法 [P]. 
张怡琳 ;
薛惠琼 ;
王玮冰 .
中国专利 :CN119374765A ,2025-01-28
[10]
一种压阻式压力传感器及其制备方法 [P]. 
许克宇 ;
武斌 ;
申涛 .
中国专利 :CN114112127A ,2022-03-01
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