一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111098479.3

申请日：

2021-09-18

公开(公告)号：

CN113845083B

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

高程武张大成杨芳程垒健余润泽李凤阳王旭峰华璇卿刘鹏

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学

IPC主分类号：

B81B7/02

IPC分类号：

B81C1/00 G01L1/18 G01L9/06

代理机构：

北京君尚知识产权代理有限公司 11200

代理人：

李文涛

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

高程武 ;

张大成 ;

杨芳 ;

程垒健 ;

余润泽 ;

李凤阳 ;

王旭峰 ;

华璇卿 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN113845083A ,2021-12-28

[2]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

高程武 ;

张大成 ;

杨芳 ;

程垒健 ;

余润泽 ;

李凤阳 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN111591952B ,2024-03-26

[3]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

高程武 ;

张大成 ;

杨芳 ;

程垒健 ;

余润泽 ;

李凤阳 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN111591952A ,2020-08-28

[4]

一种压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

张照云 ;

刘显学 ;

谢晋 ;

杨杰 ;

赵宝林 ;

熊壮 ;

李严军 ;

沈朝阳 ;

刘振华 ;

屈明山 ;

王颉 ;

王旭光 .

中国专利 :CN118913491B ,2025-01-24

[5]

一种压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

张照云 ;

刘显学 ;

谢晋 ;

杨杰 ;

赵宝林 ;

熊壮 ;

李严军 ;

沈朝阳 ;

刘振华 ;

屈明山 ;

王颉 ;

王旭光 .

中国专利 :CN118913491A ,2024-11-08

[6]

浓硼掺杂硅纳米线压阻式MEMS压力传感器的制备方法 [P].

张明亮 ;

季安 ;

王晓东 ;

杨富华 .

中国专利 :CN108147361A ,2018-06-12

[7]

压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

黄贤 ;

谢军 ;

吴昭 .

中国专利 :CN106066219B ,2016-11-02

[8]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

关淘淘 ;

杨芳 ;

黄贤 ;

张大成 ;

王玮 ;

姜博岩 ;

何军 ;

张立 ;

付锋善 ;

李丹 ;

李睿 ;

范泽新 ;

赵前程 .

中国专利 :CN105716750B ,2016-06-29

[9]

压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

吕萍 ;

李刚 .

中国专利 :CN117263139B ,2024-02-02

[10]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN113340486A ,2021-09-03

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