一种氟化钆钾单晶体及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411541122.1

申请日：

2024-10-31

公开(公告)号：

CN119411227A

公开(公告)日：

2025-02-11

发明(设计)人：

郭抒郭瑞鑫童静芳林伟杰邓正中肖全李兆仪周海涛

申请人：

南方科技大学

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号

IPC主分类号：

C30B29/12

IPC分类号：

C30B7/10 C30B7/14

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

朱阳波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/12申请日:20241031
2025-02-11	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化钆单晶体结晶成长法、氮化钆单晶体基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1289865A ,2001-04-04

[2]

一种锆酸钆锂化合物及其单晶体制备方法与应用 [P].

王坤鹏 ;

张建秀 ;

范立群 ;

任衍彪 ;

李凤丽 ;

刘泳 ;

周利 ;

姚永峰 .

中国专利 :CN112647131A ,2021-04-13

[3]

硅酸钆单晶体的生长方法 [P].

赵广军 ;

徐军 ;

何晓明 ;

介明印 ;

曾雄辉 ;

张连翰 ;

周圣明 ;

庞辉勇 ;

周国清 .

中国专利 :CN1544711A ,2004-11-10

[4]

一种稀土钆基硼酸盐单晶体及其制备方法和磁制冷应用 [P].

陈鹏允 ;

杨鸣名 ;

林利添 .

中国专利 :CN120945484A ,2025-11-14

[5]

一种稀土金属单晶体及其制备方法 [P].

吴守球 .

中国专利 :CN106222744B ,2016-12-14

[6]

一种制备InSeI单晶体的方法 [P].

程国峰 ;

周玄 ;

尹晗迪 ;

阮音捷 ;

孙玥 .

中国专利 :CN112064116A ,2020-12-11

[7]

一种用于白光LED的掺镝氟化钇钆锂单晶体及其生长方法 [P].

夏海平 ;

董艳明 ;

符立 ;

李珊珊 ;

唐磊 ;

汪沛渊 ;

彭江涛 ;

张约品 .

中国专利 :CN103820853A ,2014-05-28

[8]

一种InTeI单晶体的制备方法 [P].

程国峰 ;

周玄 ;

尹晗迪 ;

阮音捷 ;

孙玥 .

中国专利 :CN114645326B ,2024-02-06

[9]

一种铕离子掺杂氟化钆钠光学晶体及其制备方法 [P].

夏海平 ;

董艳明 ;

符立 ;

李珊珊 ;

唐磊 ;

汪沛渊 ;

彭江涛 ;

张约品 .

中国专利 :CN103757699A ,2014-04-30

[10]

一种InTeI单晶体的制备方法 [P].

程国峰 ;

周玄 ;

尹晗迪 ;

阮音捷 ;

孙玥 .

中国专利 :CN114645326A ,2022-06-21

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