氮化钆单晶体结晶成长法、氮化钆单晶体基板及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00129013.4

申请日：

2000-09-26

公开(公告)号：

CN1289865A

公开(公告)日：

2001-04-04

发明(设计)人：

元木健作冈久拓司松本直树

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

C30B2940 C30B2938 H01L2120 H01L3300

代理机构：

柳沈知识产权律师事务所

代理人：

范明娥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-04-04	公开	公开
2016-11-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101687255454 IPC(主分类):C30B 25/02 专利号:ZL001290134 申请日:20000926 授权公告日:20060906 终止日期:20150926
2001-02-21	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2006-09-06	授权	授权

共 50 条

[1]

硅酸钆单晶体的生长方法 [P].

赵广军 ;

徐军 ;

何晓明 ;

介明印 ;

曾雄辉 ;

张连翰 ;

周圣明 ;

庞辉勇 ;

周国清 .

中国专利 :CN1544711A ,2004-11-10

[2]

单晶体冰糖结晶机 [P].

高建国 ;

任学明 .

中国专利 :CN2310073Y ,1999-03-10

[3]

单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体 [P].

永井邦彦 ;

小平纮平 ;

田中启之 ;

坂本英树 .

中国专利 :CN1272145A ,2000-11-01

[4]

通过在浮区结晶单晶体生长单晶体的方法 [P].

G·拉明 ;

L·阿尔特曼绍夫尔 ;

G·拉特尼科斯 ;

M·默勒 ;

F·幕莫勒 .

中国专利 :CN105714373A ,2016-06-29

[5]

单晶体切割方法 [P].

奥克塔维安·菲利普 ;

鲍里斯·埃佩尔鲍姆 ;

马蒂亚斯·比克尔曼 ;

阿尔布雷希特·温纳克 ;

保罗·海曼 ;

乌尔里希·赛茨 .

中国专利 :CN104428115A ,2015-03-18

[6]

Ⅲ族氮化物单晶体和含该Ⅲ族氮化物单晶体的半导体器件 [P].

中畑成二 .

中国专利 :CN101503825A ,2009-08-12

[7]

边桌（单晶体） [P].

罗黛诗 .

中国专利 :CN306642589S ,2021-06-29

[8]

一种氟化钆钾单晶体及其制备方法与应用 [P].

郭抒 ;

郭瑞鑫 ;

童静芳 ;

林伟杰 ;

邓正中 ;

肖全 ;

李兆仪 ;

周海涛 .

中国专利 :CN119411227A ,2025-02-11

[9]

Ⅲ族氮化物单晶体及其制造方法以及半导体器件 [P].

中畑成二 .

中国专利 :CN1969067B ,2007-05-23

[10]

坩埚和制造单晶体的方法 [P].

堀勉 ;

上田俊策 ;

松岛彰 .

中国专利 :CN105239157A ,2016-01-13

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