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喷淋板及薄膜沉积设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411597775.1
申请日
:
2024-11-08
公开(公告)号
:
CN119433509A
公开(公告)日
:
2025-02-14
发明(设计)人
:
安光辉
栾婉莹
王卓
费腾
申请人
:
拓荆科技股份有限公司
申请人地址
:
110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
IPC主分类号
:
C23C16/455
IPC分类号
:
C23C16/52
代理机构
:
深圳市精英创新知识产权代理有限公司 44740
代理人
:
林燕云
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
辽宁省 沈阳市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-03-04
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20241108
2025-02-14
公开
公开
共 50 条
[1]
喷淋板及薄膜沉积设备
[P].
顾颜俣
论文数:
0
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
顾颜俣
;
周巨涛
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
周巨涛
;
费腾
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
费腾
.
中国专利
:CN119082707A
,2024-12-06
[2]
喷淋板及薄膜沉积设备
[P].
顾颜俣
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
顾颜俣
;
周巨涛
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
周巨涛
;
费腾
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
费腾
.
中国专利
:CN223357746U
,2025-09-19
[3]
喷淋板组件及薄膜沉积设备
[P].
魏薇
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
魏薇
;
张赛谦
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
张赛谦
;
王婷
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
王婷
;
刘肖朦
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
刘肖朦
.
中国专利
:CN117127171B
,2025-04-04
[4]
喷淋板、气体输送系统及薄膜沉积设备
[P].
赵郁晗
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
赵郁晗
;
冯嘉恒
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
冯嘉恒
;
刘英明
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
刘英明
;
卜夺夺
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
卜夺夺
.
中国专利
:CN119392219A
,2025-02-07
[5]
一种喷淋板及薄膜沉积设备
[P].
张闯闯
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
张闯闯
;
吴凤丽
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
吴凤丽
;
崔雨
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
崔雨
.
中国专利
:CN221940614U
,2024-11-01
[6]
一种喷淋板及薄膜沉积设备
[P].
孙少东
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机构:
拓荆科技股份有限公司
拓荆科技股份有限公司
孙少东
.
中国专利
:CN121087462A
,2025-12-09
[7]
一种喷淋板组件及薄膜沉积设备
[P].
董文惠
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
董文惠
.
中国专利
:CN223292638U
,2025-09-02
[8]
喷淋结构及薄膜沉积设备
[P].
朱鹤囡
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机构:
拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
朱鹤囡
;
董雪迪
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机构:
拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
董雪迪
;
林佳继
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机构:
拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
林佳继
.
中国专利
:CN117702087A
,2024-03-15
[9]
喷淋装置、反应腔室及薄膜沉积设备
[P].
黄明策
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
黄明策
;
野沢俊久
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
野沢俊久
.
中国专利
:CN118726947A
,2024-10-01
[10]
一种喷淋装置及薄膜沉积设备
[P].
魏薇
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
魏薇
;
张赛谦
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
张赛谦
;
沈丰慧
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
沈丰慧
;
齐佳美
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
齐佳美
;
褚鑫辉
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
褚鑫辉
.
中国专利
:CN223607361U
,2025-11-28
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