一种半导体硅片减薄蚀刻液、其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411585441.2

申请日：

2024-11-08

公开(公告)号：

CN119121416B

公开(公告)日：

2025-02-11

发明(设计)人：

侯军武文东田继升王凯旋赵晓莹任洁罗鹏旭

申请人：

大连奥首科技有限公司

申请人地址：

116023 辽宁省大连市高新技术产业园区火炬路1号A座2层201-1号

IPC主分类号：

C30B33/10

IPC分类号：

C25D5/00 H01L21/306

代理机构：

大连大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙) 21244

代理人：

崔雪

法律状态：

授权

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-11	授权	授权
2024-12-13	公开	公开
2024-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 33/10申请日:20241108

共 50 条

[1]

一种半导体硅片减薄蚀刻液、其制备方法与应用 [P].

侯军 ;

武文东 ;

田继升 ;

王凯旋 ;

赵晓莹 ;

任洁 ;

罗鹏旭 .

中国专利 :CN119121416A ,2024-12-13

[2]

一种半导体硅片蚀刻液、其制备方法与应用 [P].

武文东 ;

侯军 ;

田继升 .

中国专利 :CN116333744B ,2025-05-06

[3]

一种半导体铁镍合金减薄蚀刻液、其制备方法及用途 [P].

侯军 ;

孙昊然 ;

武文东 ;

田继升 ;

赵晓莹 .

中国专利 :CN117328065A ,2024-01-02

[4]

一种半导体钛蚀刻液、其制备方法与应用 [P].

侯军 ;

武文东 ;

田继升 ;

李秋颖 ;

赵晓莹 .

中国专利 :CN117904632A ,2024-04-19

[5]

一种半导体BOE蚀刻液、其制备方法和应用 [P].

侯军 ;

武文东 ;

赵晓莹 ;

杨茂森 ;

任洁 ;

田继升 ;

罗鹏旭 .

中国专利 :CN119432384A ,2025-02-14

[6]

半导体硅片切割液及其制备方法与应用 [P].

侯军 ;

孙瑶 ;

李传友 ;

褚雨露 .

中国专利 :CN118620679A ,2024-09-10

[7]

一种耐高温半导体铂蚀刻液、其制备方法及应用 [P].

侯军 ;

武文东 ;

田继升 ;

张亚飞 ;

罗鹏旭 .

中国专利 :CN117904634A ,2024-04-19

[8]

一种玻璃减薄蚀刻液及其制备方法 [P].

付争兵 ;

凡威震 ;

许鑫鑫 ;

韦悦 ;

蒋纯金 ;

杜军 ;

丁瑜 ;

王锋 .

中国专利 :CN107235641A ,2017-10-10

[9]

一种半导体BOE蚀刻液、其制备方法及用途 [P].

侯军 ;

武文东 ;

赵晓莹 ;

杨茂森 ;

任洁 .

中国专利 :CN117821069A ,2024-04-05

[10]

一种半导体硅片减薄砂轮 [P].

胡永强 ;

郑昆鹏 ;

刘鹏辉 ;

刘新建 .

中国专利 :CN215700940U ,2022-02-01

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