半导体硅片切割液及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410655897.5

申请日：

2024-05-24

公开(公告)号：

CN118620679A

公开(公告)日：

2024-09-10

发明(设计)人：

侯军孙瑶李传友褚雨露

申请人：

浙江奥首材料科技有限公司

申请人地址：

324000 浙江省衢州市柯城区杜鹃路36号

IPC主分类号：

C10M173/02

IPC分类号：

H01L21/304 C10N30/04 C10N30/06 C10N30/10

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

富丽娟

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省衢州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-10	公开	公开
2024-09-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C10M 173/02申请日:20240524

共 50 条

[1]

一种用于半导体硅片的砂浆切割液及其制备方法与应用 [P].

侯军 ;

褚雨露 ;

李传友 ;

孙瑶 .

中国专利 :CN119020089A ,2024-11-26

[2]

一种用于半导体硅片的砂浆切割液及其制备方法与应用 [P].

侯军 ;

褚雨露 ;

李传友 ;

孙瑶 .

中国专利 :CN119020089B ,2025-02-11

[3]

一种硅片切割液及其制备方法 [P].

陈五奎 ;

李军 ;

耿荣军 ;

徐文州 ;

陈磊 ;

冯加保 .

中国专利 :CN104498142A ,2015-04-08

[4]

一种硅片切割液、其制备方法与应用 [P].

侯军 ;

李传友 ;

孙瑶 ;

吕婧 .

中国专利 :CN120904953A ,2025-11-07

[5]

硅片切割液及其制备方法和应用以及切割硅片的砂浆液 [P].

奚美珍 .

中国专利 :CN110872538A ,2020-03-10

[6]

一种水性半导体晶圆切割液及其制备方法 [P].

胡丁 ;

包亚群 .

中国专利 :CN113430041A ,2021-09-24

[7]

一种高分散半导体大硅片砂浆切割液、其制备方法和用途 [P].

侯军 ;

吕婧 ;

李传友 ;

褚雨露 .

中国专利 :CN118546712A ,2024-08-27

[8]

一种抗静电半导体晶圆切割液及其制备方法 [P].

吴旋华 ;

包亚群 ;

胡丁 ;

罗壮东 ;

李学伟 .

中国专利 :CN115851363B ,2024-01-05

[9]

硅片切割保护液及其制备方法、硅片切割方法 [P].

陈鹏 ;

王许辉 .

中国专利 :CN109679757A ,2019-04-26

[10]

硅片切割液及其制备方法 [P].

张麒 ;

孙健 ;

殷达 ;

关飞飞 .

中国专利 :CN120682856A ,2025-09-23

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