一种半导体硅片蚀刻液、其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211725718.8

申请日：

2022-12-30

公开(公告)号：

CN116333744B

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

武文东侯军田继升

申请人：

浙江奥首材料科技有限公司

申请人地址：

324012 浙江省衢州市杜鹃路36号

IPC主分类号：

C09K13/06

IPC分类号：

C09K13/08 H01L21/306

代理机构：

大连大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙) 21244

代理人：

崔雪

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省衢州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体硅片减薄蚀刻液、其制备方法与应用 [P].

侯军 ;

武文东 ;

田继升 ;

王凯旋 ;

赵晓莹 ;

任洁 ;

罗鹏旭 .

中国专利 :CN119121416B ,2025-02-11

[2]

一种半导体硅片减薄蚀刻液、其制备方法与应用 [P].

侯军 ;

武文东 ;

田继升 ;

王凯旋 ;

赵晓莹 ;

任洁 ;

罗鹏旭 .

中国专利 :CN119121416A ,2024-12-13

[3]

一种半导体硅片蚀刻装置 [P].

刘婷婷 .

中国专利 :CN111916377A ,2020-11-10

[4]

一种半导体硅片蚀刻槽 [P].

王天峰 .

中国专利 :CN204029779U ,2014-12-17

[5]

一种半导体钛蚀刻液、其制备方法与应用 [P].

侯军 ;

武文东 ;

田继升 ;

李秋颖 ;

赵晓莹 .

中国专利 :CN117904632A ,2024-04-19

[6]

一种半导体BOE蚀刻液、其制备方法和应用 [P].

侯军 ;

武文东 ;

赵晓莹 ;

杨茂森 ;

任洁 ;

田继升 ;

罗鹏旭 .

中国专利 :CN119432384A ,2025-02-14

[7]

一种硅片蚀刻液及其制备方法 [P].

周明雄 ;

丁裕强 .

中国专利 :CN101649457B ,2010-02-17

[8]

一种低损伤半导体硅蚀刻液、其制备方法与用途 [P].

侯军 ;

曲延琦 ;

武文东 ;

田继升 ;

孙昊然 .

中国专利 :CN117106451B ,2024-02-20

[9]

半导体硅片切割液及其制备方法与应用 [P].

侯军 ;

孙瑶 ;

李传友 ;

褚雨露 .

中国专利 :CN118620679A ,2024-09-10

[10]

一种耐高温半导体铂蚀刻液、其制备方法及应用 [P].

侯军 ;

武文东 ;

田继升 ;

张亚飞 ;

罗鹏旭 .

中国专利 :CN117904634A ,2024-04-19

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