半导体后段工艺及半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310899076.1
申请日
2023-07-20
公开(公告)号
CN119340197A
公开(公告)日
2025-01-21
发明(设计)人
陈亚威 简志宏
申请人
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号
H01L21/02
IPC分类号
H01L21/67
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
虞凌霄
法律状态
实质审查的生效
国省代码
河北省 保定市
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共 50 条
[1]
半导体工艺方法及半导体器件 [P]. 
李宛桐 ;
朱海云 ;
蒋中伟 .
中国专利 :CN114944331B ,2025-05-23
[2]
半导体工艺方法及半导体器件 [P]. 
李宛桐 ;
朱海云 ;
蒋中伟 .
中国专利 :CN114944331A ,2022-08-26
[3]
半导体处理工艺及半导体元器件 [P]. 
朴相荣 ;
金志勋 ;
金玄永 ;
徐康元 .
中国专利 :CN113223951B ,2021-08-06
[4]
半导体工艺方法、半导体器件 [P]. 
张月 .
中国专利 :CN114496770A ,2022-05-13
[5]
半导体工艺的方法及半导体器件 [P]. 
高琬贻 ;
柯忠祁 .
中国专利 :CN110660857A ,2020-01-07
[6]
半导体器件制造工艺和半导体器件 [P]. 
刘焕新 .
中国专利 :CN105097466A ,2015-11-25
[7]
半导体器件及半导体器件结构 [P]. 
P·莫恩斯 ;
A·维拉莫 ;
P·范米尔贝克 ;
J·罗伊格-吉塔特 ;
F·伯格曼 .
中国专利 :CN203690306U ,2014-07-02
[8]
半导体器件及半导体器件结构 [P]. 
J·罗伊格-吉塔特 ;
P·莫恩斯 ;
P·范米尔贝克 .
中国专利 :CN203690305U ,2014-07-02
[9]
半导体工艺方法以及半导体器件 [P]. 
陈志伟 .
中国专利 :CN119943750A ,2025-05-06
[10]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
闫治国 ;
魏珂 ;
张昇 ;
张睿哲 ;
麻转利 ;
郭嘉奇 ;
刘新宇 .
中国专利 :CN119767713A ,2025-04-04