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半导体后段工艺及半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202310899076.1
申请日
:
2023-07-20
公开(公告)号
:
CN119340197A
公开(公告)日
:
2025-01-21
发明(设计)人
:
陈亚威
简志宏
申请人
:
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址
:
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号
:
H01L21/02
IPC分类号
:
H01L21/67
代理机构
:
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
:
虞凌霄
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
河北省 保定市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-02-14
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20230720
2025-01-21
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体工艺方法及半导体器件
[P].
李宛桐
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
李宛桐
;
朱海云
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机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
朱海云
;
蒋中伟
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0
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机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
蒋中伟
.
中国专利
:CN114944331B
,2025-05-23
[2]
半导体工艺方法及半导体器件
[P].
李宛桐
论文数:
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李宛桐
;
朱海云
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0
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朱海云
;
蒋中伟
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蒋中伟
.
中国专利
:CN114944331A
,2022-08-26
[3]
半导体处理工艺及半导体元器件
[P].
朴相荣
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朴相荣
;
金志勋
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金志勋
;
金玄永
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金玄永
;
徐康元
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徐康元
.
中国专利
:CN113223951B
,2021-08-06
[4]
半导体工艺方法、半导体器件
[P].
张月
论文数:
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张月
.
中国专利
:CN114496770A
,2022-05-13
[5]
半导体工艺的方法及半导体器件
[P].
高琬贻
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高琬贻
;
柯忠祁
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柯忠祁
.
中国专利
:CN110660857A
,2020-01-07
[6]
半导体器件制造工艺和半导体器件
[P].
刘焕新
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刘焕新
.
中国专利
:CN105097466A
,2015-11-25
[7]
半导体器件及半导体器件结构
[P].
P·莫恩斯
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P·莫恩斯
;
A·维拉莫
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A·维拉莫
;
P·范米尔贝克
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P·范米尔贝克
;
J·罗伊格-吉塔特
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J·罗伊格-吉塔特
;
F·伯格曼
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F·伯格曼
.
中国专利
:CN203690306U
,2014-07-02
[8]
半导体器件及半导体器件结构
[P].
J·罗伊格-吉塔特
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J·罗伊格-吉塔特
;
P·莫恩斯
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P·莫恩斯
;
P·范米尔贝克
论文数:
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P·范米尔贝克
.
中国专利
:CN203690305U
,2014-07-02
[9]
半导体工艺方法以及半导体器件
[P].
陈志伟
论文数:
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
陈志伟
.
中国专利
:CN119943750A
,2025-05-06
[10]
半导体器件的制备方法及半导体器件
[P].
闫治国
论文数:
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
闫治国
;
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机构:
魏珂
;
张昇
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
张昇
;
张睿哲
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
张睿哲
;
麻转利
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
麻转利
;
郭嘉奇
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
郭嘉奇
;
论文数:
引用数:
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机构:
刘新宇
.
中国专利
:CN119767713A
,2025-04-04
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