一种沟槽型肖特基二极管器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011076765.5

申请日：

2020-10-10

公开(公告)号：

CN112271220B

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

倪炜江

申请人：

安徽芯塔电子科技有限公司

申请人地址：

241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园3号楼1804层

IPC主分类号：

H10D8/60

IPC分类号：

H10D62/10

代理机构：

北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717

代理人：

张宇锋

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省芜湖市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种沟槽型肖特基二极管器件 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN112271220A ,2021-01-26

[2]

一种沟槽型肖特基二极管器件 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN213242561U ,2021-05-18

[3]

一种沟槽型肖特基二极管 [P].

任敏 ;

张玉蒙 ;

谢驰 ;

李泽宏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN106298976A ,2017-01-04

[4]

沟槽肖特基二极管 [P].

余强 ;

焦伟 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

张小辛 .

中国专利 :CN206878007U ,2018-01-12

[5]

沟槽MOS型肖特基二极管 [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN110352498A ,2019-10-18

[6]

沟槽MOS型肖特基二极管 [P].

佐佐木公平 ;

东胁正高 .

中国专利 :CN109075214B ,2018-12-21

[7]

肖特基二极管 [P].

刘浩文 ;

马万里 ;

闫正坤 ;

谭键文 .

中国专利 :CN120659343A ,2025-09-16

[8]

沟槽型二极管器件 [P].

赖海波 ;

徐承福 ;

朱开兴 .

中国专利 :CN208674062U ,2019-03-29

[9]

沟槽型肖特基二极管的制备方法 [P].

刘远良 .

中国专利 :CN104183483A ,2014-12-03

[10]

沟槽型MOS势垒肖特基二极管 [P].

郑柳 ;

孙国胜 ;

张峰 ;

刘兴昉 ;

王雷 ;

赵万顺 ;

闫果果 ;

董林 ;

刘胜北 ;

刘斌 ;

田丽欣 ;

曾一平 .

中国专利 :CN203434162U ,2014-02-12

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