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半導体材料を処理するための方法及び光学系[ja]

被引：0
申请号：
JP20210566325
申请日：
2020-04-28
公开(公告)号：
JP7608363B2
公开(公告)日：
2025-01-06
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/20
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[21]
半導体デバイスを製作するための方法および半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2018506174A ,2018-03-01
[22]
生体材料の保存、前処理、分析のための容器及び方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7622432B2 ,2025-01-28
[23]
生体材料の保存、前処理、分析のための容器及び方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020100957A1 ,2021-09-30
[24]
半導体材料の結晶を作製するための装置およびプロセス[ja] [P]. 
日本专利 :JP6022000B2 ,2016-11-09
[25]
熱処理方法及び半導体の結晶化方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006098513A1 ,2008-08-28
[26]
半導体構成部材の製造方法及び半導体構成部材を製造するための支持基板[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025517668A ,2025-06-10
[27]
研磨パッドの製造方法及び光学材料又は半導体材料の表面を研磨する方法[ja] [P]. 
TATENO TEPPEI ;
TAKAMIZAWA YAMATO ;
OCHI KEISUKE ;
KAWASAKI TETSUAKI .
日本专利 :JP2024144235A ,2024-10-11
[28]
触媒材料を調製するための方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015525675A ,2015-09-07
[29]
半導体材料の単結晶を引き上げるための装置および方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7439250B2 ,2024-02-27
[30]
半導体材料の単結晶を引き上げるための装置および方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022551171A ,2022-12-07
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