半导体处理液、被处理物的处理方法、电子装置的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202380048102.8
申请日
2023-06-15
公开(公告)号
CN119404296A
公开(公告)日
2025-02-07
发明(设计)人
滋野井悠太 上村哲也 水谷笃史 山田新平
申请人
富士胶片株式会社
申请人地址
日本
IPC主分类号
H01L21/304
IPC分类号
C11D7/32 C11D17/08
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
薛海蛟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体处理液、被处理物的处理方法、电子装置的制造方法 [P]. 
滋野井悠太 ;
水谷笃史 .
日本专利 :CN120500737A ,2025-08-15
[2]
半导体制造用处理液、被处理物的清洗方法、半导体的制造方法 [P]. 
上村哲也 .
日本专利 :CN119948604A ,2025-05-06
[3]
处理液、被处理物的处理方法 [P]. 
杉岛泰雄 .
日本专利 :CN120591037A ,2025-09-05
[4]
处理液、被处理物的处理方法 [P]. 
杉岛泰雄 .
日本专利 :CN121022522A ,2025-11-28
[5]
处理液、被处理物的处理方法 [P]. 
杉岛泰雄 .
中国专利 :CN114930505A ,2022-08-19
[6]
处理液、被处理物的处理方法 [P]. 
水谷笃史 ;
杉岛泰雄 ;
高桥智威 .
日本专利 :CN120958561A ,2025-11-14
[7]
处理液、被处理物的处理方法 [P]. 
杉岛泰雄 .
日本专利 :CN114364779B ,2024-05-28
[8]
处理液、被处理物的处理方法 [P]. 
杉岛泰雄 .
中国专利 :CN114364779A ,2022-04-15
[9]
半导体处理液及其制造方法 [P]. 
品川正志 ;
德永贵史 ;
三嶋祐 ;
保坂俊辅 .
中国专利 :CN115335966A ,2022-11-11
[10]
表面处理组合物、表面处理方法和半导体基板的制造方法 [P]. 
德岛荣至 ;
吉野努 .
日本专利 :CN117778117A ,2024-03-29