半导体制造用处理液、被处理物的清洗方法、半导体的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202380068861.0
申请日
2023-09-27
公开(公告)号
CN119948604A
公开(公告)日
2025-05-06
发明(设计)人
上村哲也
申请人
富士胶片株式会社
申请人地址
日本
IPC主分类号
H01L21/304
IPC分类号
C11D7/22 C11D7/26
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
薛海蛟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体处理液、被处理物的处理方法、电子装置的制造方法 [P]. 
滋野井悠太 ;
水谷笃史 .
日本专利 :CN120500737A ,2025-08-15
[2]
半导体处理液、被处理物的处理方法、电子装置的制造方法 [P]. 
滋野井悠太 ;
上村哲也 ;
水谷笃史 ;
山田新平 .
日本专利 :CN119404296A ,2025-02-07
[3]
半导体制造用处理液及图案形成方法 [P]. 
上村哲也 ;
清水哲也 ;
村山哲 .
中国专利 :CN108885412B ,2018-11-23
[4]
半导体制造用处理液及图案形成方法 [P]. 
上村哲也 ;
清水哲也 ;
村山哲 .
中国专利 :CN114706271A ,2022-07-05
[5]
半导体制造用处理管 [P]. 
松浦广行 ;
岛田光一 .
中国专利 :CN300837612D ,2008-10-08
[6]
半导体制造用处理管 [P]. 
高桥清彦 .
中国专利 :CN301118020D ,2010-01-20
[7]
半导体制造用处理腔 [P]. 
金子裕史 .
中国专利 :CN300980794D ,2009-08-12
[8]
半导体制造用处理管 [P]. 
井上久司 ;
远藤笃史 .
中国专利 :CN300748574D ,2008-02-20
[9]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
申平洙 ;
金秉勳 .
中国专利 :CN103137415A ,2013-06-05
[10]
处理液生成方法、处理液生成机构、半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
田中博司 .
中国专利 :CN112535962B ,2021-03-23