半导体制造用处理管

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专利类型
外观设计
申请号
CN200830143287.9
申请日
2008-09-25
公开(公告)号
CN301118020D
公开(公告)日
2010-01-20
发明(设计)人
高桥清彦
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
1599
IPC分类号
代理机构
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人
龙 淳
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体制造用处理管 [P]. 
松浦广行 ;
岛田光一 .
中国专利 :CN300837612D ,2008-10-08
[2]
半导体制造用处理管 [P]. 
井上久司 ;
远藤笃史 .
中国专利 :CN300748574D ,2008-02-20
[3]
半导体制造用处理腔 [P]. 
金子裕史 .
中国专利 :CN300980794D ,2009-08-12
[4]
半导体制造用处理容器内壁保护体 [P]. 
宫野真一 ;
石田茂雄 .
中国专利 :CN3342003D ,2003-12-24
[5]
半导体制造用处理容器内壁保护体 [P]. 
长久保启一 ;
伊藤淳 ;
根津崇明 .
中国专利 :CN3361817D ,2004-04-07
[6]
半导体制造用处理容器内壁保护体 [P]. 
高桥秀一 ;
加藤幸司 ;
滨元新二 .
中国专利 :CN3348519D ,2004-01-21
[7]
半导体制造用处理容器内壁保护体 [P]. 
土场重树 .
中国专利 :CN3345422D ,2004-01-07
[8]
半导体制造用处理液、被处理物的清洗方法、半导体的制造方法 [P]. 
上村哲也 .
日本专利 :CN119948604A ,2025-05-06
[9]
半导体制造装置、半导体制造工厂及半导体制造方法 [P]. 
南出由生 ;
和田直之 .
日本专利 :CN120418927A ,2025-08-01
[10]
半导体制造设备、半导体制造方法 [P]. 
宓晓宇 ;
高桥岳雄 .
中国专利 :CN119920738A ,2025-05-02