存储结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310865249.8

申请日：

2023-07-13

公开(公告)号：

CN119317108A

公开(公告)日：

2025-01-14

发明(设计)人：

冯威张伟石强

申请人：

中芯国际集成电路制造(北京)有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H10B41/30

IPC分类号：

G11C16/08 G11C16/10 G11C16/34 G11C16/26

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/30申请日:20230713
2025-10-28	授权	授权
2025-01-14	公开	公开

共 50 条

[1]

存储结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法 [P].

冯威 ;

张伟 ;

石强 .

中国专利 :CN119317108B ,2025-10-28

[2]

存储结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法 [P].

朱孟苏 ;

胡生民 ;

高长城 .

中国专利 :CN120379257A ,2025-07-25

[3]

存储器结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN108074930B ,2018-05-25

[4]

磁随机存储器结构及其形成方法、电路及其工作方法 [P].

罗军 ;

邹思楠 ;

崔岩 ;

杨美音 ;

许静 .

中国专利 :CN117794252A ,2024-03-29

[5]

存储器电路及其形成方法 [P].

蔡竣扬 ;

黄国钦 ;

翁烔城 .

中国专利 :CN109411502A ,2019-03-01

[6]

存储器及其工作方法和形成方法 [P].

廖淼 ;

潘梓诚 .

中国专利 :CN110010605B ,2019-07-12

[7]

存储器及其工作方法和形成方法 [P].

廖淼 ;

潘梓诚 .

中国专利 :CN110047833A ,2019-07-23

[8]

电路结构及其形成方法、存储器 [P].

方亚德 ;

王彦武 .

中国专利 :CN117787197A ,2024-03-29

[9]

磁性随机存储器及其形成方法、工作方法 [P].

李阳 ;

神兆旭 ;

郭俊伟 .

中国专利 :CN118102852A ,2024-05-28

[10]

磁性随机存储器及其形成方法、工作方法 [P].

任增耀 ;

隋振超 ;

刘晓西 ;

王高翔 ;

李艾琳 ;

章纬 .

中国专利 :CN119212396A ,2024-12-27

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