存储器电路及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711293247.7

申请日：

2017-12-08

公开(公告)号：

CN109411502A

公开(公告)日：

2019-03-01

发明(设计)人：

蔡竣扬黄国钦翁烔城

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2724

IPC分类号：

H01L2722 G11C1300

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-03	授权	授权
2019-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/24 申请日:20171208
2019-03-01	公开	公开

共 50 条

[1]

具有多个细丝的RRAM存储器单元、存储器电路及其形成方法 [P].

杨晋杰 ;

张至扬 ;

朱文定 ;

廖钰文 .

中国专利 :CN109427841A ,2019-03-05

[2]

存储器结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN108074930B ,2018-05-25

[3]

电路结构及其形成方法、存储器 [P].

方亚德 ;

王彦武 .

中国专利 :CN117787197A ,2024-03-29

[4]

存储结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法 [P].

冯威 ;

张伟 ;

石强 .

中国专利 :CN119317108A ,2025-01-14

[5]

存储结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法 [P].

朱孟苏 ;

胡生民 ;

高长城 .

中国专利 :CN120379257A ,2025-07-25

[6]

存储结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法 [P].

冯威 ;

张伟 ;

石强 .

中国专利 :CN119317108B ,2025-10-28

[7]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114B ,2024-11-12

[8]

存储器结构、存储器件及其形成方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113488477A ,2021-10-08

[9]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114A ,2021-10-22

[10]

存储器器件及其形成方法 [P].

吴昭谊 ;

林佑明 .

中国专利 :CN113488504A ,2021-10-08

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