电路结构及其形成方法、存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211160986.X

申请日：

2022-09-22

公开(公告)号：

CN117787197A

公开(公告)日：

2024-03-29

发明(设计)人：

方亚德王彦武

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

G06F30/3947

IPC分类号：

G06F30/398 G06F115/12

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-29	公开	公开
2024-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G06F 30/3947申请日:20220922

共 50 条

[1]

存储器结构及其形成方法、存储器结构的电路 [P].

谭经纶 .

中国专利 :CN110137138A ,2019-08-16

[2]

存储器电路及其形成方法 [P].

蔡竣扬 ;

黄国钦 ;

翁烔城 .

中国专利 :CN109411502A ,2019-03-01

[3]

半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法 [P].

吕开敏 .

中国专利 :CN119230519A ,2024-12-31

[4]

存储器结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN108074930B ,2018-05-25

[5]

存储器结构及其形成方法 [P].

宋雅丽 .

中国专利 :CN109003985A ,2018-12-14

[6]

存储器结构及其形成方法 [P].

胡生民 .

中国专利 :CN119603965A ,2025-03-11

[7]

存储器结构及其形成方法 [P].

林士杰 ;

柯顺祥 .

中国专利 :CN113078157A ,2021-07-06

[8]

存储器结构及其形成方法 [P].

韩亮 ;

王海英 .

中国专利 :CN112670287A ,2021-04-16

[9]

存储器结构及其形成方法 [P].

凌婉怡 ;

任堃 ;

吴永玉 ;

高大为 .

中国专利 :CN119156012B ,2025-12-02

[10]

存储器结构及其形成方法 [P].

王登善 ;

代洪刚 ;

巨晓华 ;

周朝锋 ;

李勇 .

中国专利 :CN118471796A ,2024-08-09

← 1 2 3 4 5 →