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功率半导体器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411338667.2
申请日
:
2024-09-24
公开(公告)号
:
CN119381342A
公开(公告)日
:
2025-01-28
发明(设计)人
:
隋语桐
申请人
:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
申请人地址
:
266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401
IPC主分类号
:
H01L21/768
IPC分类号
:
H01L23/48
H10D62/10
代理机构
:
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
:
刘畅
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
山东省 青岛市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-02-21
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20240924
2025-01-28
公开
公开
共 50 条
[1]
功率半导体器件及其制造方法
[P].
许鸿豹
论文数:
0
引用数:
0
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0
许鸿豹
;
黄金
论文数:
0
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0
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黄金
.
中国专利
:CN101527315B
,2009-09-09
[2]
功率半导体器件及其制造方法
[P].
高秀秀
论文数:
0
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0
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0
高秀秀
;
柯攀
论文数:
0
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0
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0
柯攀
;
戴小平
论文数:
0
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0
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0
戴小平
.
中国专利
:CN113964203A
,2022-01-21
[3]
功率半导体器件及其制造方法
[P].
高秀秀
论文数:
0
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0
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0
机构:
湖南国芯半导体科技有限公司
湖南国芯半导体科技有限公司
高秀秀
;
柯攀
论文数:
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0
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机构:
湖南国芯半导体科技有限公司
湖南国芯半导体科技有限公司
柯攀
;
戴小平
论文数:
0
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0
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机构:
湖南国芯半导体科技有限公司
湖南国芯半导体科技有限公司
戴小平
.
中国专利
:CN113964203B
,2024-09-17
[4]
功率半导体器件结构及其制造方法
[P].
曹功勋
论文数:
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
曹功勋
;
刘峰松
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
刘峰松
.
中国专利
:CN119815850A
,2025-04-11
[5]
功率半导体器件结构及其制造方法
[P].
曹功勋
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
曹功勋
;
刘峰松
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
刘峰松
.
中国专利
:CN119815850B
,2025-09-19
[6]
功率半导体器件及其制造方法
[P].
杨彦涛
论文数:
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杨彦涛
;
夏志平
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夏志平
;
王维建
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王维建
.
中国专利
:CN107910266A
,2018-04-13
[7]
功率半导体器件及其制造方法
[P].
杨彦涛
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杨彦涛
;
徐丹
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徐丹
;
陈琛
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陈琛
.
中国专利
:CN107910267A
,2018-04-13
[8]
功率半导体器件及其制造方法
[P].
杨彦涛
论文数:
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杨彦涛
;
王平
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王平
;
张邵华
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张邵华
;
李敏
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李敏
;
陈琛
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陈琛
.
中国专利
:CN107910271A
,2018-04-13
[9]
功率半导体器件及其制造方法
[P].
吴传佳
论文数:
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吴传佳
;
裴轶
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裴轶
;
尹成功
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尹成功
.
中国专利
:CN105895685A
,2016-08-24
[10]
功率半导体器件及其制造方法
[P].
郭德霄
论文数:
0
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机构:
上海新微半导体有限公司
上海新微半导体有限公司
郭德霄
.
中国专利
:CN118712128A
,2024-09-27
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