功率半导体器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411338667.2
申请日
2024-09-24
公开(公告)号
CN119381342A
公开(公告)日
2025-01-28
发明(设计)人
隋语桐
申请人
芯恩(青岛)集成电路有限公司
申请人地址
266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401
IPC主分类号
H01L21/768
IPC分类号
H01L23/48 H10D62/10
代理机构
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
刘畅
法律状态
实质审查的生效
国省代码
山东省 青岛市
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共 50 条
[1]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
许鸿豹 ;
黄金 .
中国专利 :CN101527315B ,2009-09-09
[2]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
高秀秀 ;
柯攀 ;
戴小平 .
中国专利 :CN113964203A ,2022-01-21
[3]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
高秀秀 ;
柯攀 ;
戴小平 .
中国专利 :CN113964203B ,2024-09-17
[4]
功率半导体器件结构及其制造方法 [P]. 
曹功勋 ;
刘峰松 .
中国专利 :CN119815850A ,2025-04-11
[5]
功率半导体器件结构及其制造方法 [P]. 
曹功勋 ;
刘峰松 .
中国专利 :CN119815850B ,2025-09-19
[6]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
杨彦涛 ;
夏志平 ;
王维建 .
中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13
[7]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
杨彦涛 ;
徐丹 ;
陈琛 .
中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13
[8]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
杨彦涛 ;
王平 ;
张邵华 ;
李敏 ;
陈琛 .
中国专利 :CN107910271A ,2018-04-13
[9]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
吴传佳 ;
裴轶 ;
尹成功 .
中国专利 :CN105895685A ,2016-08-24
[10]
功率半导体器件及其制造方法 [P]. 
郭德霄 .
中国专利 :CN118712128A ,2024-09-27