功率半导体器件结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510032960.4

申请日：

2025-01-08

公开(公告)号：

CN119815850A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

曹功勋刘峰松

申请人：

上海积塔半导体有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号

IPC主分类号：

H10D12/01

IPC分类号：

H10D12/00 H10D64/27 H10D64/23

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-19	授权	授权
2025-04-11	公开	公开
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 12/01申请日:20250108

共 50 条

[1]

功率半导体器件结构及其制造方法 [P].

曹功勋 ;

刘峰松 .

中国专利 :CN119815850B ,2025-09-19

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

隋语桐 .

中国专利 :CN119381342A ,2025-01-28

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

许鸿豹 ;

黄金 .

中国专利 :CN101527315B ,2009-09-09

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

高秀秀 ;

柯攀 ;

戴小平 .

中国专利 :CN113964203A ,2022-01-21

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

高秀秀 ;

柯攀 ;

戴小平 .

中国专利 :CN113964203B ,2024-09-17

[6]

功率半导体器件元胞结构、功率半导体器件及其制造方法 [P].

邹华 ;

张邵华 ;

姚国亮 ;

刘建平 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114497184B ,2024-03-29

[7]

功率半导体器件元胞结构、功率半导体器件及其制造方法 [P].

邹华 ;

张邵华 ;

姚国亮 ;

刘建平 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114497184A ,2022-05-13

[8]

功率半导体器件封装结构及其制造方法 [P].

谢文华 ;

任炜强 .

中国专利 :CN113410185B ,2021-09-17

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

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