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氮化镓半导体功率器件及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411598529.8
申请日
:
2024-11-11
公开(公告)号
:
CN119153322B
公开(公告)日
:
2025-01-14
发明(设计)人
:
张铭宏
郭超凡
王中党
高吴昊
申请人
:
珠海镓未来科技有限公司
申请人地址
:
519000 广东省珠海市横琴新区环岛东路3018号2309
IPC主分类号
:
H01L21/28
IPC分类号
:
H01L21/768
H01L23/48
H10D64/27
H10D64/00
代理机构
:
深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙) 44526
代理人
:
王攀
法律状态
:
授权
国省代码
:
广东省 珠海市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-01-14
授权
授权
2025-01-03
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20241111
2024-12-17
公开
公开
共 50 条
[1]
氮化镓半导体功率器件及其制作方法
[P].
张铭宏
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
珠海镓未来科技有限公司
珠海镓未来科技有限公司
张铭宏
;
郭超凡
论文数:
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0
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机构:
珠海镓未来科技有限公司
珠海镓未来科技有限公司
郭超凡
;
王中党
论文数:
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0
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机构:
珠海镓未来科技有限公司
珠海镓未来科技有限公司
王中党
;
高吴昊
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
珠海镓未来科技有限公司
珠海镓未来科技有限公司
高吴昊
.
中国专利
:CN119153322A
,2024-12-17
[2]
氮化镓半导体器件及其制作方法
[P].
李东键
论文数:
0
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李东键
;
金荣善
论文数:
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金荣善
;
金权济
论文数:
0
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金权济
;
骆薇薇
论文数:
0
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骆薇薇
;
孙在亨
论文数:
0
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0
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孙在亨
.
中国专利
:CN108428741B
,2018-08-21
[3]
氮化镓半导体功率器件及其制备方法
[P].
刘美华
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刘美华
;
林信南
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林信南
;
刘岩军
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刘岩军
.
中国专利
:CN111969048A
,2020-11-20
[4]
氮化镓基半导体器件及其制作方法
[P].
林科闯
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林科闯
;
房育涛
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房育涛
;
刘波亭
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刘波亭
;
毛张文
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毛张文
;
李健
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李健
;
张恺玄
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张恺玄
;
杨健
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0
杨健
.
中国专利
:CN110600547B
,2019-12-20
[5]
基于氮化镓的半导体功率器件及其制造方法
[P].
王琮
论文数:
0
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0
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王琮
.
中国专利
:CN112750898A
,2021-05-04
[6]
半导体功率器件及其制作方法
[P].
朱辉
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朱辉
;
肖秀光
论文数:
0
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肖秀光
;
吴海平
论文数:
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吴海平
.
中国专利
:CN108933167B
,2018-12-04
[7]
氮化镓基半导体器件及其制作方法
[P].
蔡文必
论文数:
0
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蔡文必
;
孙希国
论文数:
0
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孙希国
;
刘胜厚
论文数:
0
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0
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刘胜厚
.
中国专利
:CN111883590A
,2020-11-03
[8]
半导体功率器件及其制作方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
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0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN108054195A
,2018-05-18
[9]
半导体功率器件及其制作方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN108110041A
,2018-06-01
[10]
半导体功率器件及其制作方法
[P].
林永发
论文数:
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林永发
;
张家豪
论文数:
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0
张家豪
.
中国专利
:CN104078502A
,2014-10-01
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