氮化镓半导体功率器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411598529.8
申请日
2024-11-11
公开(公告)号
CN119153322B
公开(公告)日
2025-01-14
发明(设计)人
张铭宏 郭超凡 王中党 高吴昊
申请人
珠海镓未来科技有限公司
申请人地址
519000 广东省珠海市横琴新区环岛东路3018号2309
IPC主分类号
H01L21/28
IPC分类号
H01L21/768 H01L23/48 H10D64/27 H10D64/00
代理机构
深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙) 44526
代理人
王攀
法律状态
授权
国省代码
广东省 珠海市
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共 50 条
[1]
氮化镓半导体功率器件及其制作方法 [P]. 
张铭宏 ;
郭超凡 ;
王中党 ;
高吴昊 .
中国专利 :CN119153322A ,2024-12-17
[2]
氮化镓半导体器件及其制作方法 [P]. 
李东键 ;
金荣善 ;
金权济 ;
骆薇薇 ;
孙在亨 .
中国专利 :CN108428741B ,2018-08-21
[3]
氮化镓半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
刘美华 ;
林信南 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN111969048A ,2020-11-20
[4]
氮化镓基半导体器件及其制作方法 [P]. 
林科闯 ;
房育涛 ;
刘波亭 ;
毛张文 ;
李健 ;
张恺玄 ;
杨健 .
中国专利 :CN110600547B ,2019-12-20
[5]
基于氮化镓的半导体功率器件及其制造方法 [P]. 
王琮 .
中国专利 :CN112750898A ,2021-05-04
[6]
半导体功率器件及其制作方法 [P]. 
朱辉 ;
肖秀光 ;
吴海平 .
中国专利 :CN108933167B ,2018-12-04
[7]
氮化镓基半导体器件及其制作方法 [P]. 
蔡文必 ;
孙希国 ;
刘胜厚 .
中国专利 :CN111883590A ,2020-11-03
[8]
半导体功率器件及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108054195A ,2018-05-18
[9]
半导体功率器件及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108110041A ,2018-06-01
[10]
半导体功率器件及其制作方法 [P]. 
林永发 ;
张家豪 .
中国专利 :CN104078502A ,2014-10-01