半导体元件和半导体设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980057269.4

申请日：

2019-09-30

公开(公告)号：

CN112740398B

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

冨田知大平井友洋冈本晋太郎江田健太郎渡辺敬山口一树笠原则一铃木康平

申请人：

索尼半导体解决方案公司

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H10D84/03

IPC分类号：

H10D84/00 H10F39/18

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

曹正建;陈桂香

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件和半导体设备 [P].

冨田知大 ;

平井友洋 ;

冈本晋太郎 ;

江田健太郎 ;

渡辺敬 ;

山口一树 ;

笠原则一 ;

铃木康平 .

中国专利 :CN112740398A ,2021-04-30

[2]

半导体元件以及半导体装置 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN101483193B ,2009-07-15

[3]

半导体元件以及半导体装置 [P].

内田正雄 .

中国专利 :CN102668094B ,2012-09-12

[4]

半导体元件、半导体装置 [P].

小西和也 ;

西康一 ;

古川彰彦 .

日本专利 :CN120857529A ,2025-10-28

[5]

半导体元件、半导体装置 [P].

小西和也 ;

西康一 ;

古川彰彦 .

日本专利 :CN114497200B ,2025-07-18

[6]

半导体元件、半导体装置 [P].

小西和也 ;

西康一 ;

古川彰彦 .

中国专利 :CN114497200A ,2022-05-13

[7]

半导体基板和半导体元件 [P].

佐藤宪 ;

鹿内洋志 ;

后藤博一 ;

篠宫胜 ;

萩本和德 ;

土屋庆太郎 .

中国专利 :CN106233440B ,2016-12-14

[8]

半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

百田圣自 ;

藤井岳志 ;

上岛聪 ;

浅井诚 .

中国专利 :CN102163623A ,2011-08-24

[9]

半导体元件和用于制造半导体元件的方法 [P].

甘利浩一 .

中国专利 :CN102130171B ,2011-07-20

[10]

半导体元件 [P].

内田正雄 ;

堀川信之 ;

田中康太郎 ;

清泽努 .

中国专利 :CN103890953A ,2014-06-25

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