基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280097901.X

申请日：

2022-09-22

公开(公告)号：

CN119547181A

公开(公告)日：

2025-02-28

发明(设计)人：

藤野敏树岛田真一地藏久司石井昭纪油谷幸则葛西健

申请人：

株式会社国际电气

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01L21/205

IPC分类号：

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

金成哲;宋春华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/205申请日:20220922
2025-02-28	公开	公开

共 50 条

[1]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P].

小川有人 .

日本专利 :CN119522472A ,2025-02-25

[2]

基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及程序 [P].

松井俊 ;

横川贵史 ;

小川有人 .

日本专利 :CN118715597A ,2024-09-27

[3]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序 [P].

森谷敦 ;

窟田英树 ;

高桥正纮 .

日本专利 :CN119631163A ,2025-03-14

[4]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及基板处理装置 [P].

坪田康寿 ;

岸本宗树 .

日本专利 :CN119343761A ,2025-01-21

[5]

基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法及程序 [P].

竹林雄二 ;

森岳史 ;

宫西裕也 .

日本专利 :CN120548598A ,2025-08-26

[6]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及基板处理装置 [P].

平祐树 .

日本专利 :CN120322852A ,2025-07-15

[7]

基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序 [P].

菊池俊之 .

日本专利 :CN120530479A ,2025-08-22

[8]

半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序 [P].

花岛建夫 .

中国专利 :CN111868894A ,2020-10-30

[9]

半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序 [P].

角田彻 ;

奥野正久 ;

山本克彦 ;

定田拓也 ;

堀井贞义 .

中国专利 :CN110419096A ,2019-11-05

[10]

基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序 [P].

三村英俊 ;

佐佐木隆史 ;

吉田秀成 ;

冈岛优作 .

中国专利 :CN110121763A ,2019-08-13

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