电离层电子密度的反演方法、装置、系统、设备和介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510126645.8

申请日：

2025-01-27

公开(公告)号：

CN119556316A

公开(公告)日：

2025-03-04

发明(设计)人：

胡鹏白伟华孟祥广谭广远孙越强杜起飞蔡跃荣王先毅夏俊明李伟曹光伟柳聪亮尹聪黄飞雄吴汝晗王冬伟刘成乔颢李福仇通胜田羽森张浩王卓炎张鹏举

申请人：

中国科学院国家空间科学中心

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南二条1号

IPC主分类号：

G01S19/37

IPC分类号：

G01S19/07

代理机构：

北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319

代理人：

莎日娜

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-04	公开	公开
2025-12-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G01S 19/37申请公布日:20250304
2025-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01S 19/37申请日:20250127

共 50 条

[1]

基于RTG的电离层电子密度反演方法及系统 [P].

李庆丰 ;

李泽运 ;

方涵先 ;

汪四成 ;

龚红卫 .

中国专利 :CN113687149A ,2021-11-23

[2]

基于RTG的电离层电子密度反演方法及系统 [P].

李庆丰 ;

李泽运 ;

方涵先 ;

汪四成 ;

龚红卫 .

中国专利 :CN113687149B ,2024-04-05

[3]

基于CLEAN算法的电离层电子密度反演方法 [P].

郝红连 ;

赵必强 ;

乐新安 ;

丁锋 ;

曾令旗 .

中国专利 :CN111580061B ,2020-08-25

[4]

一种电离层层析反演电子密度方法及相关设备 [P].

王一帆 ;

王国芳 ;

彭晶 ;

马御棠 ;

马仪 ;

周仿荣 ;

耿浩 ;

曹俊 ;

尹春林 ;

代泽林 ;

朱龙昌 ;

杜肖 ;

饶桐 ;

毕云川 ;

文刚 ;

李彦锋 .

中国专利 :CN118837909A ,2024-10-25

[5]

基于掩星数据的低电离层电子密度反演方法 [P].

牛俊 ;

李绍文 ;

翁利斌 ;

孟兴 ;

汪四成 ;

盛峥 ;

梅冰 .

中国专利 :CN120316384B ,2025-09-02

[6]

基于掩星数据的低电离层电子密度反演方法 [P].

牛俊 ;

李绍文 ;

翁利斌 ;

孟兴 ;

汪四成 ;

盛峥 ;

梅冰 .

中国专利 :CN120316384A ,2025-07-15

[7]

电离层电子密度的确定方法、装置、电子设备及存储介质 [P].

黄胜 ;

卢旭阳 ;

李太祥 ;

谢华忠 ;

徐升 ;

杨孔万 ;

田野 ;

张统治 .

中国专利 :CN118294983A ,2024-07-05

[8]

用于测量电离层电子密度的方法及装置、探测设备、存储介质 [P].

朱庆林 ;

葛淑灿 ;

朱梦言 ;

徐彬 ;

徐彤 ;

董翔 ;

黄立峰 ;

马征征 ;

孙威 .

中国专利 :CN120610053A ,2025-09-09

[9]

基于电子密度的三维热层和电离层参数反演方法及系统 [P].

陈洲 ;

郭燕 ;

范存群 ;

王劲松 ;

毛冬艳 ;

古新语 ;

谢廷锋 ;

张佳梁 ;

张可宁 ;

曾嘉豪 ;

张健翔 ;

宋健 ;

王云冈 ;

宗位国 ;

毛田 .

中国专利 :CN119380868A ,2025-01-28

[10]

基于电离层电子密度的GNSS掩星电离层残差修正方法及系统 [P].

柳聪亮 ;

孙越强 ;

杜起飞 ;

白伟华 ;

王先毅 ;

蔡跃荣 ;

孟祥广 ;

夏俊明 ;

王冬伟 ;

李伟 ;

吴春俊 ;

刘成 ;

赵丹阳 .

中国专利 :CN110275183B ,2019-09-24

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