用于CMOS装置的接触层的选择性覆盖

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380052319.6

申请日：

2023-06-06

公开(公告)号：

CN119522642A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 B·普拉纳瑟提哈兰尼古拉斯·路易斯·布雷尔

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H10D84/03

IPC分类号：

H01L21/768 H01L21/285 H01L21/308 H01L21/67

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;吴启超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	公开	公开
2025-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/03申请日:20230606

共 50 条

[1]

用于CMOS器件的空腔成形和选择性金属硅化物形成 [P].

尼古拉斯·路易斯·布雷尔 ;

阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 .

美国专利 :CN120304033A ,2025-07-11

[2]

用于自下而上外延的选择性底部种子层形成 [P].

萧宇正 ;

张廷祥 ;

柯忠廷 ;

廖书翎 ;

林颂恩 ;

黄泰钧 ;

李资良 .

中国专利 :CN118888443A ,2024-11-01

[3]

用于改进的沉积选择性的保护层 [P].

王超群 ;

宋述仁 .

中国专利 :CN103972208B ,2014-08-06

[4]

用于区域选择性沉积的保护性覆盖层 [P].

安德里亚·列奥尼 .

美国专利 :CN120883322A ,2025-10-31

[5]

具有选择性底部端子接触的半导体结构 [P].

朱利安·埃尔萨巴希 ;

拉里·比夫莱 ;

斯特凡·布维耶 ;

弗雷德里克·瓦龙 .

中国专利 :CN115702498A ,2023-02-14

[6]

利用共形侧壁覆盖的选择性通孔填充 [P].

琚正 ;

吴智远 ;

岑嘉杰 ;

刘凤全 ;

陈枫 .

美国专利 :CN120883355A ,2025-10-31

[7]

选择性覆盖工艺和由此形成的结构 [P].

纪志坚 ;

魏孝宽 ;

苏鸿文 ;

李佩璇 ;

许馨云 ;

简瑞芬 .

中国专利 :CN109841563B ,2019-06-04

[8]

使用外延阻止层的选择性外延 [P].

郑政玮 ;

金志焕 ;

J.A.奥特 ;

D.K.萨达纳 .

中国专利 :CN105977142B ,2016-09-28

[9]

热形成选择性钴层的方法 [P].

艾华 ;

吕疆 ;

阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ;

马伯方 ;

柳尚澔 ;

刘风全 ;

付新宇 ;

叶伟锋 .

中国专利 :CN107078036B ,2017-08-18

[10]

用于改善选择性沉积工艺中的选择性的预处理方法 [P].

丹尼斯·豪斯曼 ;

伊尔哈姆·莫希米 ;

张鹏翼 ;

保罗·C·莱曼利 ;

卡希什·沙玛 ;

亚力山大·R·福克斯 ;

纳格拉杰·尚卡尔 ;

卡普·瑟里什·雷迪 ;

大卫·查尔斯·史密斯 .

美国专利 :CN112567499B ,2025-05-09

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