一种半导体用等静压石墨浸渍方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411603814.4

申请日：

2024-11-12

公开(公告)号：

CN119500490A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

杨捷秦斌沈永辉杨程王雪诚陈梦楠倪会香

申请人：

江苏宏基高新材料股份有限公司

申请人地址：

223700 江苏省宿迁市泗阳县众兴镇浙江路南侧太湖路东侧(泗阳经济开发区)

IPC主分类号：

B05C9/14

IPC分类号：

B05C3/10 B05C13/02 B05D3/04 B05C11/10 C01B32/21

代理机构：

北京华智则铭知识产权代理有限公司 11573

代理人：

张莹

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省淮南市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	公开	公开
2025-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B05C 9/14申请日:20241112

共 50 条

[1]

一种半导体用等静压石墨的生产方法 [P].

杨华丰 ;

梁斌 ;

龚建超 ;

刘学 .

中国专利 :CN119797953A ,2025-04-11

[2]

一种半导体用等静压石墨及其制备方法 [P].

林勇 ;

朱约辉 .

中国专利 :CN117923933A ,2024-04-26

[3]

一种半导体用等静压石墨生产系统 [P].

杨捷 ;

秦斌 ;

沈永辉 ;

杨程 ;

王雪诚 ;

陈梦楠 ;

倪会香 .

中国专利 :CN119370838A ,2025-01-28

[4]

一种半导体用等静压石墨的生产设备 [P].

周大伟 ;

杨捷 ;

杨程 ;

沈永辉 ;

王雪诚 .

中国专利 :CN118342674B ,2025-01-21

[5]

一种半导体用等静压石墨的生产设备 [P].

周大伟 ;

杨捷 ;

杨程 ;

沈永辉 ;

王雪诚 .

中国专利 :CN118342674A ,2024-07-16

[6]

半导体用等静压石墨的连续焙烧装置 [P].

吕尊华 ;

纪斌 ;

吕鹏 .

中国专利 :CN119594713B ,2025-05-23

[7]

半导体用等静压石墨的连续焙烧装置 [P].

吕尊华 ;

纪斌 ;

吕鹏 .

中国专利 :CN119594713A ,2025-03-11

[8]

一种三代半导体用等静压石墨舟 [P].

吕尊华 ;

纪斌 ;

冯奕钰 .

中国专利 :CN117711998B ,2024-04-26

[9]

一种三代半导体用等静压石墨舟 [P].

吕尊华 ;

纪斌 ;

冯奕钰 .

中国专利 :CN117711998A ,2024-03-15

[10]

一种半导体用大规格等静压石墨生产工艺 [P].

项佳辉 ;

陈潜 ;

钱壮 ;

李启航 ;

兰红英 ;

李维娟 ;

窦栋 .

中国专利 :CN120794626A ,2025-10-17

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