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一种半导体用等静压石墨的生产方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510037098.6
申请日：
2025-01-09
公开(公告)号：
CN119797953A
公开(公告)日：
2025-04-11
发明(设计)人：
杨华丰 梁斌 龚建超 刘学
申请人：
奥通碳素（内江）科技有限公司
申请人地址：
641000 四川省内江市东兴区科技孵化器6楼11-3-1号
IPC主分类号：
C04B35/83
IPC分类号：
C04B35/532 C04B35/52 C04B35/622 C04B35/64
代理机构：
成都时誉知识产权代理事务所(普通合伙) 51250
代理人：
汪林
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-29 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/83申请日:20250109
2025-04-11 公开 公开
共 50 条
[1]
一种半导体用等静压石墨生产系统 [P]. 
杨捷 ;
秦斌 ;
沈永辉 ;
杨程 ;
王雪诚 ;
陈梦楠 ;
倪会香 .
中国专利 :CN119370838A ,2025-01-28
[2]
一种半导体用等静压石墨的生产设备 [P]. 
周大伟 ;
杨捷 ;
杨程 ;
沈永辉 ;
王雪诚 .
中国专利 :CN118342674B ,2025-01-21
[3]
一种半导体用等静压石墨的生产设备 [P]. 
周大伟 ;
杨捷 ;
杨程 ;
沈永辉 ;
王雪诚 .
中国专利 :CN118342674A ,2024-07-16
[4]
一种半导体用等静压石墨及其制备方法 [P]. 
林勇 ;
朱约辉 .
中国专利 :CN117923933A ,2024-04-26
[5]
一种半导体用等静压石墨浸渍方法 [P]. 
杨捷 ;
秦斌 ;
沈永辉 ;
杨程 ;
王雪诚 ;
陈梦楠 ;
倪会香 .
中国专利 :CN119500490A ,2025-02-25
[6]
一种半导体用大规格等静压石墨生产工艺 [P]. 
项佳辉 ;
陈潜 ;
钱壮 ;
李启航 ;
兰红英 ;
李维娟 ;
窦栋 .
中国专利 :CN120794626A ,2025-10-17
[7]
半导体用等静压石墨的连续焙烧装置 [P]. 
吕尊华 ;
纪斌 ;
吕鹏 .
中国专利 :CN119594713B ,2025-05-23
[8]
半导体用等静压石墨的连续焙烧装置 [P]. 
吕尊华 ;
纪斌 ;
吕鹏 .
中国专利 :CN119594713A ,2025-03-11
[9]
一种三代半导体用等静压石墨舟 [P]. 
吕尊华 ;
纪斌 ;
冯奕钰 .
中国专利 :CN117711998B ,2024-04-26
[10]
一种三代半导体用等静压石墨舟 [P]. 
吕尊华 ;
纪斌 ;
冯奕钰 .
中国专利 :CN117711998A ,2024-03-15
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