一种半导体用大规格等静压石墨生产工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510941043.8

申请日：

2025-07-09

公开(公告)号：

CN120794626A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

项佳辉陈潜钱壮李启航兰红英李维娟窦栋

申请人：

宏基高新材料（宁夏）有限公司

申请人地址：

750001 宁夏回族自治区银川市兴庆区苏银产业园产旺街36号

IPC主分类号：

C04B35/52

IPC分类号：

C04B35/64 B30B12/00 B02C4/08 B02C23/10

代理机构：

宿迁科颂专利代理事务所(普通合伙) 32942

代理人：

王后羿

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/52申请日:20250709
2025-10-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种大规格等静压石墨生产工艺 [P].

秦斌 ;

吴庆斌 ;

杨捷 ;

周大伟 ;

沈永辉 ;

杨程 ;

王雪诚 .

中国专利 :CN116835579B ,2024-02-27

[2]

一种半导体用一次成型等静压石墨的生产工艺 [P].

秦斌 ;

杨捷 ;

沈永辉 ;

杨程 ;

王雪诚 ;

陈梦楠 ;

倪会香 .

中国专利 :CN119350030A ,2025-01-24

[3]

一种半导体用等静压石墨的生产方法 [P].

杨华丰 ;

梁斌 ;

龚建超 ;

刘学 .

中国专利 :CN119797953A ,2025-04-11

[4]

一种半导体硅片生产用等静压石墨的生产工艺 [P].

周大伟 ;

杨捷 ;

杨程 ;

沈永辉 ;

王雪诚 .

中国专利 :CN118637915B ,2024-11-26

[5]

一种半导体硅片生产用等静压石墨的生产工艺 [P].

周大伟 ;

杨捷 ;

杨程 ;

沈永辉 ;

王雪诚 .

中国专利 :CN118637915A ,2024-09-13

[6]

一种半导体用等静压石墨生产系统 [P].

杨捷 ;

秦斌 ;

沈永辉 ;

杨程 ;

王雪诚 ;

陈梦楠 ;

倪会香 .

中国专利 :CN119370838A ,2025-01-28

[7]

一种半导体用等静压石墨的生产设备 [P].

周大伟 ;

杨捷 ;

杨程 ;

沈永辉 ;

王雪诚 .

中国专利 :CN118342674B ,2025-01-21

[8]

一种半导体用等静压石墨的生产设备 [P].

周大伟 ;

杨捷 ;

杨程 ;

沈永辉 ;

王雪诚 .

中国专利 :CN118342674A ,2024-07-16

[9]

一种等静压石墨生产工艺 [P].

吴庆斌 .

中国专利 :CN115974555B ,2024-01-26

[10]

一种半导体用等静压石墨浸渍方法 [P].

杨捷 ;

秦斌 ;

沈永辉 ;

杨程 ;

王雪诚 ;

陈梦楠 ;

倪会香 .

中国专利 :CN119500490A ,2025-02-25

← 1 2 3 4 5 →