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半导体结构的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311053132.6
申请日：
2023-08-18
公开(公告)号：
CN119521695A
公开(公告)日：
2025-02-25
发明(设计)人：
姜长城
申请人：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/63
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
吴敏
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-02-25 | 公开 | 公开 |
| 2025-03-14 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20230818 |