半导体结构的形成方法

被引：0

申请号：

CN202011263278.X

申请日：

2020-11-12

公开(公告)号：

CN114496741A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

赵振阳纪世良

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21033

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/033 申请日:20201112
2022-05-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

赵振阳 ;

纪世良 .

中国专利 :CN114496741B ,2024-10-22

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

阮炯明 ;

张冬平 .

中国专利 :CN105448702A ,2016-03-30

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

姜长城 .

中国专利 :CN119521695A ,2025-02-25

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

王贤超 ;

徐杨 .

中国专利 :CN110021603A ,2019-07-16

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵猛 ;

施雪捷 .

中国专利 :CN113764280A ,2021-12-07

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

窦涛 ;

胡友存 ;

汤霞梅 .

中国专利 :CN111640653A ,2020-09-08

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

韩秋华 ;

贺金鹏 ;

王彦 .

中国专利 :CN111696862A ,2020-09-22

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵猛 ;

施雪捷 .

中国专利 :CN113764280B ,2024-10-29

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 .

中国专利 :CN106298470A ,2017-01-04

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

陈琛 .

中国专利 :CN115706012A ,2023-02-17

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