金属酸化物および半導体装置[ja]

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申请号
JP20220501386
申请日
2021-02-09
公开(公告)号
JP7637110B2
公开(公告)日
2025-02-27
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H10D30/67
IPC分类号
H01L21/365 H10B12/00 H10B41/70 H10B99/00 H10D30/01 H10D84/80 H10D84/83
代理机构
代理人
法律状态
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共 50 条
[1]
金属酸化物および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7637619B2 ,2025-02-28
[2]
酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6460591B2 ,2019-01-30
[3]
酸化物半導体膜および、半導体装置[ja] [P]. 
SAKAZUME TAKAHIRO .
日本专利 :JP2025116201A ,2025-08-07
[6]
導電性酸化物および半導体酸化物膜[ja] [P]. 
日本专利 :JP6036367B2 ,2016-11-30
[7]
酸化物系半導体材料および半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP6150752B2 ,2017-06-21
[8]
結晶性酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018084304A1 ,2019-11-07
[9]
結晶性酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022172066A ,2022-11-15
[10]
結晶性酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6994181B2 ,2022-02-04