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金属酸化物および半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220501386
申请日
:
2021-02-09
公开(公告)号
:
JP7637110B2
公开(公告)日
:
2025-02-27
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10D30/67
IPC分类号
:
H01L21/365
H10B12/00
H10B41/70
H10B99/00
H10D30/01
H10D84/80
H10D84/83
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
金属酸化物および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7637619B2
,2025-02-28
[2]
酸化物半導体膜および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6460591B2
,2019-01-30
[3]
酸化物半導体膜および、半導体装置[ja]
[P].
SAKAZUME TAKAHIRO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
SAKAZUME TAKAHIRO
.
日本专利
:JP2025116201A
,2025-08-07
[4]
酸化物半導体装置、および、酸化物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6685476B2
,2020-04-22
[5]
酸化物半導体装置、および、酸化物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019003861A1
,2019-11-07
[6]
導電性酸化物および半導体酸化物膜[ja]
[P].
日本专利
:JP6036367B2
,2016-11-30
[7]
酸化物系半導体材料および半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JP6150752B2
,2017-06-21
[8]
結晶性酸化物半導体膜および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018084304A1
,2019-11-07
[9]
結晶性酸化物半導体膜および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2022172066A
,2022-11-15
[10]
結晶性酸化物半導体膜および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6994181B2
,2022-02-04
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