一种基于倾斜电极结构的薄膜铌酸锂电光调制器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510005600.5

申请日：

2025-01-02

公开(公告)号：

CN119689741A

公开(公告)日：

2025-03-25

发明(设计)人：

鞠涛黎宏伟杨蜜付东正王圣伟

申请人：

桂林电子科技大学

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路一号

IPC主分类号：

G02F1/03

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

广西壮族自治区桂林市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-25	公开	公开
2025-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/03申请日:20250102

共 50 条

[1]

一种倾斜式电极的薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

宋树祥 ;

钟闯洋 ;

陈光润 ;

杨军 ;

韦宗波 ;

马文凯 ;

杨博雄 .

中国专利 :CN120871470A ,2025-10-31

[2]

一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

余华 ;

刘玉山 ;

陈冠宇 ;

李春德 .

中国专利 :CN119805796B ,2025-10-17

[3]

一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

朱赟 .

中国专利 :CN221782532U ,2024-09-27

[4]

一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

余华 ;

刘玉山 ;

陈冠宇 ;

李春德 .

中国专利 :CN119805796A ,2025-04-11

[5]

一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

朱赟 .

中国专利 :CN119087705A ,2024-12-06

[6]

一种阶梯式电极的薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

宋树祥 ;

钟闯洋 ;

陈光润 ;

杨军 ;

马文凯 ;

韦宗波 ;

杨博雄 .

中国专利 :CN120447240A ,2025-08-08

[7]

薄膜铌酸锂电光调制器及其制造方法 [P].

薛海韵 ;

张宇强 .

中国专利 :CN119002103A ,2024-11-22

[8]

一种薄膜铌酸锂电光调制器的制备方法及电光调制器 [P].

张岚 ;

潘振辉 ;

许明 .

中国专利 :CN119270535A ,2025-01-07

[9]

一种基于叉指电极的铌酸锂电光调制器 [P].

田永辉 ;

张朴 ;

周旭东 ;

肖恢芙 ;

袁明瑞 ;

蒋永恒 ;

郝沁汾 .

中国专利 :CN119126412A ,2024-12-13

[10]

一种薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P].

梁华湛 ;

林树青 ;

张仙 ;

胡胜群 ;

吴家威 ;

余思远 .

中国专利 :CN120686492A ,2025-09-23

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