包括阻挡层的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010391931.4

申请日：

2020-05-11

公开(公告)号：

CN112349829B

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

洪京一金英铉朴正桓吴世忠李正敏

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10N50/80

IPC分类号：

H10N50/10 H10N50/01

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

弋桂芬

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	授权	授权

共 50 条

[1]

包括阻挡层的半导体器件 [P].

洪京一 ;

金英铉 ;

朴正桓 ;

吴世忠 ;

李正敏 .

中国专利 :CN112349829A ,2021-02-09

[2]

包括无氟钨阻挡层的半导体器件及其制造方法 [P].

姜东均 .

中国专利 :CN103681285B ,2014-03-26

[3]

半导体器件的阻挡层形成方法 [P].

许坤赐 ;

林竞尧 .

中国专利 :CN101452878A ,2009-06-10

[4]

用于半导体器件电极的保护阻挡层 [P].

马丁·卡罗尔 ;

大卫·P·琼斯 ;

安德鲁·N·萨乐 ;

马丁·斯坦丁 .

中国专利 :CN101523584A ,2009-09-02

[5]

扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件及其制造方法 [P].

斯蒂芬·A·科恩 ;

蒂莫西·J·多尔顿 ;

约翰·A·费兹西蒙斯 ;

斯蒂芬·M·盖兹 ;

莱恩·M·基格纳克 ;

保罗·C·詹米森 ;

康－吾·李 ;

辛帕斯·帕鲁舒塔曼 ;

达尔·D·利斯坦诺 ;

伊万·西蒙尼 ;

霍雷肖·S·威尔德曼 .

中国专利 :CN1186814C ,2001-08-15

[6]

带场阻挡层的半导体器件的制造方法 [P].

张帅 ;

王海军 .

中国专利 :CN102931081A ,2013-02-13

[7]

半导体器件中制作金属阻挡层的方法 [P].

张玹珍 ;

李禹奉 ;

文永和 ;

全英昊 ;

高在浣 ;

具永谟 ;

金世桢 .

中国专利 :CN1062978C ,1996-01-17

[8]

阻挡层的形成方法和半导体器件 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137549A ,2013-06-05

[9]

具有阻挡层的半导体晶片和半导体器件及其制造方法 [P].

R·鲁普 ;

F·J·桑托斯罗德里格斯 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN108074995A ,2018-05-25

[10]

包括阻挡区的半导体器件 [P].

C·伦德茨 ;

M·比纳 ;

M·达伊内塞 ;

A·P-S·谢 ;

C·P·桑多 .

:CN119967831A ,2025-05-09

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