半导体器件的阻挡层形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710171757.7

申请日：

2007-12-04

公开(公告)号：

CN101452878A

公开(公告)日：

2009-06-10

发明(设计)人：

许坤赐林竞尧

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

楼仙英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-03-20	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101533995938 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2007101717577 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20130208
2021-03-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/768 申请公布日:20090610
2009-06-10	公开	公开

共 50 条

[1]

阻挡层的形成方法和半导体器件 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137549A ,2013-06-05

[2]

金属硅化物阻挡层的形成方法及半导体器件 [P].

曾翔 ;

蔡彬 ;

陈昊瑜 ;

黄冠群 ;

齐瑞生 .

中国专利 :CN120417391A ,2025-08-01

[3]

包括阻挡层的半导体器件 [P].

洪京一 ;

金英铉 ;

朴正桓 ;

吴世忠 ;

李正敏 .

韩国专利 :CN112349829B ,2025-03-07

[4]

包括阻挡层的半导体器件 [P].

洪京一 ;

金英铉 ;

朴正桓 ;

吴世忠 ;

李正敏 .

中国专利 :CN112349829A ,2021-02-09

[5]

扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件及其制造方法 [P].

斯蒂芬·A·科恩 ;

蒂莫西·J·多尔顿 ;

约翰·A·费兹西蒙斯 ;

斯蒂芬·M·盖兹 ;

莱恩·M·基格纳克 ;

保罗·C·詹米森 ;

康－吾·李 ;

辛帕斯·帕鲁舒塔曼 ;

达尔·D·利斯坦诺 ;

伊万·西蒙尼 ;

霍雷肖·S·威尔德曼 .

中国专利 :CN1186814C ,2001-08-15

[6]

半导体器件中制作金属阻挡层的方法 [P].

张玹珍 ;

李禹奉 ;

文永和 ;

全英昊 ;

高在浣 ;

具永谟 ;

金世桢 .

中国专利 :CN1062978C ,1996-01-17

[7]

带场阻挡层的半导体器件的制造方法 [P].

张帅 ;

王海军 .

中国专利 :CN102931081A ,2013-02-13

[8]

用于半导体器件电极的保护阻挡层 [P].

马丁·卡罗尔 ;

大卫·P·琼斯 ;

安德鲁·N·萨乐 ;

马丁·斯坦丁 .

中国专利 :CN101523584A ,2009-09-02

[9]

包括无氟钨阻挡层的半导体器件及其制造方法 [P].

姜东均 .

中国专利 :CN103681285B ,2014-03-26

[10]

铜互连的扩散阻挡层、半导体器件及其制造方法 [P].

张飞虎 ;

冷江华 ;

赵龙 .

中国专利 :CN104362139A ,2015-02-18

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