半导体器件中制作金属阻挡层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95109193.X

申请日：

1995-07-07

公开(公告)号：

CN1062978C

公开(公告)日：

1996-01-17

发明(设计)人：

张玹珍李禹奉文永和全英昊高在浣具永谟金世桢

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

柳沈知识产权律师事务所

代理人：

马莹

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1996-12-11	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2001-03-07	授权	授权
2014-08-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101586352284 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL95109193X 申请日:19950707 授权公告日:20010307 终止日期:20130707
1996-01-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的阻挡层形成方法 [P].

许坤赐 ;

林竞尧 .

中国专利 :CN101452878A ,2009-06-10

[2]

包括阻挡层的半导体器件 [P].

洪京一 ;

金英铉 ;

朴正桓 ;

吴世忠 ;

李正敏 .

韩国专利 :CN112349829B ,2025-03-07

[3]

包括阻挡层的半导体器件 [P].

洪京一 ;

金英铉 ;

朴正桓 ;

吴世忠 ;

李正敏 .

中国专利 :CN112349829A ,2021-02-09

[4]

扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件及其制造方法 [P].

斯蒂芬·A·科恩 ;

蒂莫西·J·多尔顿 ;

约翰·A·费兹西蒙斯 ;

斯蒂芬·M·盖兹 ;

莱恩·M·基格纳克 ;

保罗·C·詹米森 ;

康－吾·李 ;

辛帕斯·帕鲁舒塔曼 ;

达尔·D·利斯坦诺 ;

伊万·西蒙尼 ;

霍雷肖·S·威尔德曼 .

中国专利 :CN1186814C ,2001-08-15

[5]

在半导体器件中制作阻挡扩散金属层的方法 [P].

崔璟根 .

中国专利 :CN1147145A ,1997-04-09

[6]

带场阻挡层的半导体器件的制造方法 [P].

张帅 ;

王海军 .

中国专利 :CN102931081A ,2013-02-13

[7]

蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法 [P].

金贞儿 ;

朴美贤 ;

李轸雨 ;

金建伶 ;

李晓山 ;

韩勋 ;

李珍旭 ;

林廷训 .

中国专利 :CN110911278A ,2020-03-24

[8]

蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法 [P].

金贞儿 ;

朴美贤 ;

李轸雨 ;

金建伶 ;

李晓山 ;

韩勋 ;

李珍旭 ;

林廷训 .

韩国专利 :CN110911278B ,2024-07-05

[9]

蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法 [P].

金贞儿 ;

朴美贤 ;

李轸雨 ;

金建伶 ;

李晓山 ;

韩勋 ;

李珍旭 ;

林廷训 .

韩国专利 :CN117448824B ,2025-11-11

[10]

蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法 [P].

金贞儿 ;

朴美贤 ;

李轸雨 ;

金建伶 ;

李晓山 ;

韩勋 ;

李珍旭 ;

林廷训 .

韩国专利 :CN117448824A ,2024-01-26

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