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蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311566341.0
申请日：
2019-09-18
公开(公告)号：
CN117448824B
公开(公告)日：
2025-11-11
发明(设计)人：
金贞儿 朴美贤 李轸雨 金建伶 李晓山 韩勋 李珍旭 林廷训
申请人：
三星电子株式会社 秀博瑞殷株式会社
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L21/306
IPC分类号：
代理机构：
北京市立方律师事务所 11330
代理人：
李娜;王占杰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-01-26 公开 公开
2024-02-13 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23F 1/26申请日:20190918
2025-11-11 授权 授权
共 50 条
[1]
蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法 [P]. 
金贞儿 ;
朴美贤 ;
李轸雨 ;
金建伶 ;
李晓山 ;
韩勋 ;
李珍旭 ;
林廷训 .
韩国专利 :CN110911278B ,2024-07-05
[2]
蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法 [P]. 
金贞儿 ;
朴美贤 ;
李轸雨 ;
金建伶 ;
李晓山 ;
韩勋 ;
李珍旭 ;
林廷训 .
中国专利 :CN110911278A ,2020-03-24
[3]
蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法 [P]. 
金贞儿 ;
朴美贤 ;
李轸雨 ;
金建伶 ;
李晓山 ;
韩勋 ;
李珍旭 ;
林廷训 .
韩国专利 :CN117448824A ,2024-01-26
[4]
半导体器件中制作金属阻挡层的方法 [P]. 
张玹珍 ;
李禹奉 ;
文永和 ;
全英昊 ;
高在浣 ;
具永谟 ;
金世桢 .
中国专利 :CN1062978C ,1996-01-17
[5]
扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件及其制造方法 [P]. 
斯蒂芬·A·科恩 ;
蒂莫西·J·多尔顿 ;
约翰·A·费兹西蒙斯 ;
斯蒂芬·M·盖兹 ;
莱恩·M·基格纳克 ;
保罗·C·詹米森 ;
康－吾·李 ;
辛帕斯·帕鲁舒塔曼 ;
达尔·D·利斯坦诺 ;
伊万·西蒙尼 ;
霍雷肖·S·威尔德曼 .
中国专利 :CN1186814C ,2001-08-15
[6]
带场阻挡层的半导体器件的制造方法 [P]. 
张帅 ;
王海军 .
中国专利 :CN102931081A ,2013-02-13
[7]
蚀刻金属层的方法和用其制造半导体器件的方法 [P]. 
权亨峻 ;
渡嘉敷健 ;
朴钟撤 .
中国专利 :CN103578975A ,2014-02-12
[8]
具有阻挡层的半导体晶片和半导体器件及其制造方法 [P]. 
R·鲁普 ;
F·J·桑托斯罗德里格斯 ;
H-J·舒尔策 .
中国专利 :CN108074995A ,2018-05-25
[9]
包括阻挡层的半导体器件 [P]. 
洪京一 ;
金英铉 ;
朴正桓 ;
吴世忠 ;
李正敏 .
韩国专利 :CN112349829B ,2025-03-07
[10]
包括阻挡层的半导体器件 [P]. 
洪京一 ;
金英铉 ;
朴正桓 ;
吴世忠 ;
李正敏 .
中国专利 :CN112349829A ,2021-02-09
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