蚀刻金属层的方法和用其制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310308562.8

申请日：

2013-07-22

公开(公告)号：

CN103578975A

公开(公告)日：

2014-02-12

发明(设计)人：

权亨峻渡嘉敷健朴钟撤

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L213213

IPC分类号：

H01L4312

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-12	公开	公开
2016-03-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101729191424 IPC(主分类):H01L 21/3213 专利申请号:2013103085628 申请公布日:20140212

共 50 条

[1]

蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法 [P].

金贞儿 ;

朴美贤 ;

李轸雨 ;

金建伶 ;

李晓山 ;

韩勋 ;

李珍旭 ;

林廷训 .

韩国专利 :CN117448824B ,2025-11-11

[2]

蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法 [P].

金贞儿 ;

朴美贤 ;

李轸雨 ;

金建伶 ;

李晓山 ;

韩勋 ;

李珍旭 ;

林廷训 .

中国专利 :CN110911278A ,2020-03-24

[3]

蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法 [P].

金贞儿 ;

朴美贤 ;

李轸雨 ;

金建伶 ;

李晓山 ;

韩勋 ;

李珍旭 ;

林廷训 .

韩国专利 :CN110911278B ,2024-07-05

[4]

蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法 [P].

金贞儿 ;

朴美贤 ;

李轸雨 ;

金建伶 ;

李晓山 ;

韩勋 ;

李珍旭 ;

林廷训 .

韩国专利 :CN117448824A ,2024-01-26

[5]

半导体器件的制造方法和蚀刻设备 [P].

小室雅宏 .

中国专利 :CN101582376A ,2009-11-18

[6]

蚀刻方法和半导体器件的制造方法 [P].

饗场康 ;

神户乔史 .

中国专利 :CN110808228A ,2020-02-18

[7]

蚀刻组合物、使用其蚀刻含金属的层的方法、以及使用其制造半导体器件的方法 [P].

姜炳俊 ;

金圣玟 ;

朴仁仙 ;

成旼哉 ;

梁师碧 ;

吴政玟 ;

李锦喜 ;

咸喆 ;

黄圭荣 .

韩国专利 :CN120230559A ,2025-07-01

[8]

蚀刻停止层及半导体器件的制造方法 [P].

中村真也 ;

逸见充则 ;

藤井佳词 ;

池田佳广 .

中国专利 :CN109643651A ,2019-04-16

[9]

蚀刻组合物、使用其蚀刻含金属的膜的方法和使用其制造半导体器件的方法 [P].

黄圭荣 ;

姜炳俊 ;

金大铉 ;

金圣玟 ;

朴美贤 ;

吴政玟 ;

咸喆 .

韩国专利 :CN118685773A ,2024-09-24

[10]

蚀刻组合物、使用其蚀刻含金属的膜的方法和使用其制造半导体器件的方法 [P].

咸喆 ;

姜炳俊 ;

金相完 ;

金圣玟 ;

朴仁仙 ;

宋佳荣 ;

吴政玟 ;

黄圭荣 .

韩国专利 :CN119177446A ,2024-12-24

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