半导体器件的制造方法和蚀刻设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910137922.6

申请日：

2009-04-30

公开(公告)号：

CN101582376A

公开(公告)日：

2009-11-18

发明(设计)人：

小室雅宏

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20090430 授权公告日:20110622 终止日期:20170430
2011-06-22	授权	授权
2010-01-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-11-18	公开	公开

共 50 条

[1]

蚀刻方法和半导体器件的制造方法 [P].

饗场康 ;

神户乔史 .

中国专利 :CN110808228A ,2020-02-18

[2]

半导体器件制造方法和蚀刻系统 [P].

后藤刚 ;

田岛贡 ;

山崎隆之 ;

加藤贵也 .

中国专利 :CN1577766A ,2005-02-09

[3]

半导体结构的制造方法及半导体器件蚀刻设备 [P].

鲍锡飞 ;

周刘涛 .

中国专利 :CN113539818B ,2024-05-03

[4]

半导体结构的制造方法及半导体器件蚀刻设备 [P].

鲍锡飞 ;

周刘涛 .

中国专利 :CN113539818A ,2021-10-22

[5]

干式蚀刻方法、半导体器件的制造方法和蚀刻装置 [P].

山内邦裕 ;

北山光 ;

八尾章史 .

中国专利 :CN114616651A ,2022-06-10

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

黑泽直人 .

中国专利 :CN101752301A ,2010-06-23

[7]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

山田敦史 ;

温井健司 .

中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09

[8]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

谢瑞夫 ;

廖志腾 ;

陈志山 ;

陈臆仁 ;

翁子展 .

中国专利 :CN113206042B ,2024-03-26

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

褚志彪 ;

李明洋 ;

李连忠 .

中国专利 :CN113130326B ,2025-01-10

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

褚志彪 ;

李明洋 ;

李连忠 .

中国专利 :CN113130326A ,2021-07-16

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