检测装置及检测方法、半导体工艺腔室

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311243969.7
申请日
2023-09-25
公开(公告)号
CN119694911A
公开(公告)日
2025-03-25
发明(设计)人
张亚萍 付省辉
申请人
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
H01L21/66
IPC分类号
H01L21/67 H01J37/244 H01J37/32
代理机构
北京布瑞知识产权代理有限公司 11505
代理人
高英英
法律状态
公开
国省代码
安徽省 宣城市
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体工艺腔室及其管路检测方法 [P]. 
桑强强 ;
汤中海 ;
戚利 ;
谢梦雨 ;
张建坤 ;
赵尊华 .
中国专利 :CN114883212A ,2022-08-09
[2]
半导体工艺腔室及半导体工艺方法 [P]. 
杨京 ;
王炳元 ;
韦刚 ;
卫晶 ;
王景远 .
中国专利 :CN114446758A ,2022-05-06
[3]
半导体工艺腔室及半导体工艺方法 [P]. 
杨京 ;
王炳元 ;
韦刚 ;
卫晶 ;
王景远 .
中国专利 :CN114446758B ,2024-04-12
[4]
半导体检测装置、检测方法及半导体带有工艺腔的装置 [P]. 
李海鹏 .
中国专利 :CN111415875B ,2025-05-16
[5]
半导体工艺腔室和半导体工艺方法 [P]. 
翟梦阳 .
中国专利 :CN118854444A ,2024-10-29
[6]
半导体检测装置、检测方法及半导体工艺装置 [P]. 
李海鹏 .
中国专利 :CN111415875A ,2020-07-14
[7]
半导体工艺腔室 [P]. 
陈国动 .
中国专利 :CN114743855A ,2022-07-12
[8]
半导体工艺腔室 [P]. 
刘建军 ;
纪安宽 ;
邓斌 ;
张钦彤 .
中国专利 :CN118007090A ,2024-05-10
[9]
半导体工艺腔室 [P]. 
陈国动 .
中国专利 :CN114743855B ,2024-10-25
[10]
半导体工艺腔室 [P]. 
王松 ;
陈星 ;
赵晋荣 ;
韦刚 .
中国专利 :CN114792619A ,2022-07-26