半导体工艺腔室及其管路检测方法

被引：0

申请号：

CN202210517868.3

申请日：

2022-05-12

公开(公告)号：

CN114883212A

公开(公告)日：

2022-08-09

发明(设计)人：

桑强强汤中海戚利谢梦雨张建坤赵尊华

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

H01L2167 H01J3732

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;王婷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	公开	公开
2022-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20220512

共 50 条

[1]

检测装置及检测方法、半导体工艺腔室 [P].

张亚萍 ;

付省辉 .

中国专利 :CN119694911A ,2025-03-25

[2]

半导体工艺腔室及其清洗方法 [P].

胡海洋 ;

张建坤 ;

郝亮 ;

赵伟康 .

中国专利 :CN115050625A ,2022-09-13

[3]

半导体工艺腔室及其清洗方法 [P].

胡海洋 ;

张建坤 ;

郝亮 ;

赵伟康 .

中国专利 :CN115050625B ,2025-03-14

[4]

半导体工艺腔室及其调节方法 [P].

司新路 .

中国专利 :CN120824213A ,2025-10-21

[5]

半导体工艺腔室及半导体工艺方法 [P].

杨京 ;

王炳元 ;

韦刚 ;

卫晶 ;

王景远 .

中国专利 :CN114446758A ,2022-05-06

[6]

半导体工艺腔室及半导体工艺方法 [P].

杨京 ;

王炳元 ;

韦刚 ;

卫晶 ;

王景远 .

中国专利 :CN114446758B ,2024-04-12

[7]

半导体工艺腔室 [P].

陈国动 .

中国专利 :CN114743855A ,2022-07-12

[8]

半导体工艺腔室 [P].

刘建军 ;

纪安宽 ;

邓斌 ;

张钦彤 .

中国专利 :CN118007090A ,2024-05-10

[9]

半导体工艺腔室 [P].

周志文 .

中国专利 :CN217214636U ,2022-08-16

[10]

半导体工艺腔室 [P].

陈国动 .

中国专利 :CN114743855B ,2024-10-25

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