半导体工艺腔室及其调节方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410451715.2
申请日
2024-04-15
公开(公告)号
CN120824213A
公开(公告)日
2025-10-21
发明(设计)人
司新路
申请人
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
H01L21/67
IPC分类号
H01L21/3065 H01J37/32 H01L21/306
代理机构
北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315
代理人
刘亚岐
法律状态
公开
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
半导体工艺腔室 [P]. 
刘建军 ;
纪安宽 ;
邓斌 ;
张钦彤 .
中国专利 :CN118007090A ,2024-05-10
[2]
半导体工艺腔室 [P]. 
刘建军 ;
纪安宽 ;
邓斌 ;
张钦彤 .
中国专利 :CN118007090B ,2025-06-24
[3]
半导体工艺腔室及其清洗方法 [P]. 
胡海洋 ;
张建坤 ;
郝亮 ;
赵伟康 .
中国专利 :CN115050625A ,2022-09-13
[4]
半导体工艺腔室及其清洗方法 [P]. 
胡海洋 ;
张建坤 ;
郝亮 ;
赵伟康 .
中国专利 :CN115050625B ,2025-03-14
[5]
半导体工艺腔室及半导体工艺方法 [P]. 
杨京 ;
王炳元 ;
韦刚 ;
卫晶 ;
王景远 .
中国专利 :CN114446758A ,2022-05-06
[6]
半导体工艺腔室及半导体工艺方法 [P]. 
杨京 ;
王炳元 ;
韦刚 ;
卫晶 ;
王景远 .
中国专利 :CN114446758B ,2024-04-12
[7]
半导体工艺腔室 [P]. 
陈国动 .
中国专利 :CN114743855A ,2022-07-12
[8]
半导体工艺腔室 [P]. 
陈国动 .
中国专利 :CN114743855B ,2024-10-25
[9]
半导体工艺腔室 [P]. 
王松 ;
陈星 ;
赵晋荣 ;
韦刚 .
中国专利 :CN114792619A ,2022-07-26
[10]
半导体工艺腔室 [P]. 
杨冰彦 .
中国专利 :CN120341104A ,2025-07-18