半导体工艺腔室及其清洗方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210603048.6

申请日：

2022-05-30

公开(公告)号：

CN115050625B

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

胡海洋张建坤郝亮赵伟康

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01L21/67 B08B5/02 B08B7/00

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;王婷

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体工艺腔室及其清洗方法 [P].

胡海洋 ;

张建坤 ;

郝亮 ;

赵伟康 .

中国专利 :CN115050625A ,2022-09-13

[2]

半导体工艺腔室的清洗方法 [P].

林源为 .

中国专利 :CN115382855B ,2024-10-25

[3]

半导体工艺腔室的清洗方法 [P].

林源为 .

中国专利 :CN115382855A ,2022-11-25

[4]

半导体工艺腔室的清洗控制方法及半导体工艺腔室 [P].

尤艳艳 .

中国专利 :CN113035749B ,2024-07-23

[5]

半导体工艺腔室的清洗控制方法及半导体工艺腔室 [P].

尤艳艳 .

中国专利 :CN113035749A ,2021-06-25

[6]

半导体工艺腔室及其调节方法 [P].

司新路 .

中国专利 :CN120824213A ,2025-10-21

[7]

半导体工艺腔室及半导体工艺方法 [P].

杨京 ;

王炳元 ;

韦刚 ;

卫晶 ;

王景远 .

中国专利 :CN114446758A ,2022-05-06

[8]

半导体工艺腔室及半导体工艺方法 [P].

杨京 ;

王炳元 ;

韦刚 ;

卫晶 ;

王景远 .

中国专利 :CN114446758B ,2024-04-12

[9]

半导体工艺腔室 [P].

陈国动 .

中国专利 :CN114743855A ,2022-07-12

[10]

半导体工艺腔室 [P].

刘建军 ;

纪安宽 ;

邓斌 ;

张钦彤 .

中国专利 :CN118007090A ,2024-05-10

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