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碳化硅晶片缺陷的检测方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411982505.2
申请日：
2024-12-31
公开(公告)号：
CN119643564A
公开(公告)日：
2025-03-18
发明(设计)人：
彭铁坤 韩景瑞 丁雄傑 何明
申请人：
广东天域半导体股份有限公司
申请人地址：
523000 广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼
IPC主分类号：
G01N21/88
IPC分类号：
G06T17/00 G01N21/63 G01N21/3563
代理机构：
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人：
吴廷渊;张艳美
法律状态：
公开
国省代码：
广东省 东莞市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-18 公开 公开
2025-04-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G01N 21/88申请日:20241231
共 50 条
[1]
碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P]. 
朴钟辉 ;
甄明玉 ;
沈钟珉 ;
张炳圭 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
韩国专利 :CN112746324B ,2024-04-30
[2]
碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P]. 
朴钟辉 ;
甄明玉 ;
沈钟珉 ;
张炳圭 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
中国专利 :CN112746324A ,2021-05-04
[3]
碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P]. 
朴钟辉 ;
沈钟珉 ;
梁殷寿 ;
李演湜 ;
张炳圭 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
中国专利 :CN112746317A ,2021-05-04
[4]
碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P]. 
朴钟辉 ;
沈钟珉 ;
梁殷寿 ;
李演湜 ;
张炳圭 ;
崔正宇 ;
高上基 ;
具甲烈 ;
金政圭 .
韩国专利 :CN112746317B ,2024-05-31
[5]
碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制造方法 [P]. 
堂本千秋 ;
正木克明 ;
柴田和也 ;
山口恵彥 ;
上山大辅 .
中国专利 :CN105940149A ,2016-09-14
[6]
碳化硅晶片的制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统 [P]. 
金政圭 ;
具甲烈 ;
徐正斗 ;
崔正宇 ;
朴钟辉 .
韩国专利 :CN114762995B ,2024-04-26
[7]
碳化硅晶片的制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统 [P]. 
金政圭 ;
具甲烈 ;
徐正斗 ;
崔正宇 ;
朴钟辉 .
中国专利 :CN114762995A ,2022-07-19
[8]
一种碳化硅晶片的缺陷检测装置 [P]. 
雷裕 ;
周磊 ;
周杰 ;
田涵文 .
中国专利 :CN222866569U ,2025-05-13
[9]
一种碳化硅晶片的缺陷检测装置 [P]. 
雷裕 ;
章娇 ;
潘传杨 ;
徐晨 .
中国专利 :CN222913463U ,2025-05-27
[10]
一种碳化硅晶片的综合缺陷检测装置及方法 [P]. 
郭钰 ;
刘春俊 ;
张世颖 ;
柴海帅 ;
王波 ;
彭同华 ;
杨建 .
中国专利 :CN114280009A ,2022-04-05
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