散热基板的制造方法和功率半导体模块的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410687442.1

申请日：

2024-05-30

公开(公告)号：

CN119581327A

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

张敏晔

申请人：

LX半导体科技有限公司

申请人地址：

韩国大田广域市

IPC主分类号：

H01L21/48

IPC分类号：

H01L23/373 H01L23/367 H01L21/67

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

刘久亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/48申请日:20240530
2025-03-07	公开	公开

共 50 条

[1]

制造散热基板的方法和制造功率半导体模块的方法 [P].

张敏晔 .

韩国专利 :CN119812000A ,2025-04-11

[2]

散热基板的制造方法和功率半导体模块的制造方法 [P].

张敏晔 .

韩国专利 :CN119811999A ,2025-04-11

[3]

陶瓷基板、散热基板和功率半导体模块 [P].

张敏晔 .

韩国专利 :CN119581440A ,2025-03-07

[4]

功率半导体模块和制造功率半导体模块的方法 [P].

A·阿尔特豪斯 ;

A·格罗夫 ;

C·利布尔 .

德国专利 :CN119208305A ,2024-12-27

[5]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

M·路德维希 .

中国专利 :CN113690192A ,2021-11-23

[6]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

A·阿伦斯 ;

J·赫格尔 ;

M·霍伊 .

中国专利 :CN104517952B ,2015-04-15

[7]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

E·菲尔古特 ;

M·格鲁贝尔 ;

O·霍尔菲尔德 ;

M·莱杜特克 .

中国专利 :CN107871672B ,2018-04-03

[8]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

R·诺特尔曼 ;

A·阿伦斯 ;

M·埃布利 ;

A·赫布兰特 ;

U·M·G·施瓦策尔 ;

A·塔克卡奇 .

中国专利 :CN113903727A ,2022-01-07

[9]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

I·尼基廷 ;

D·阿勒斯 ;

A·格拉斯曼 ;

A·乌勒曼 .

中国专利 :CN111312678A ,2020-06-19

[10]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

克里斯蒂安·约布尔 ;

于尔根·斯蒂格 .

中国专利 :CN103681552B ,2014-03-26

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