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散热基板的制造方法和功率半导体模块的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410687437.0
申请日：
2024-05-30
公开(公告)号：
CN119811999A
公开(公告)日：
2025-04-11
发明(设计)人：
张敏晔
申请人：
LX半导体科技有限公司
申请人地址：
韩国大田广域市
IPC主分类号：
H01L21/48
IPC分类号：
H01L23/373
H01L23/367
H01L21/67
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
刘久亮
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-04-11 | 公开 | 公开 |
| 2025-04-29 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/48申请日:20240530 |